Algum conteúdo deste aplicativo está indisponível no momento.
Se esta situação persistir, por favor entre em contato conoscoFale conosco & Contato
1. (WO2019064520) ELECTRON BEAM APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional    Submeter observação

№ de pub.: WO/2019/064520 № do pedido internacional: PCT/JP2017/035577
Data de publicação: 04.04.2019 Data de depósito internacional: 29.09.2017
CIP:
H01L 21/027 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
027
Fabricação de máscaras sobre corpos semicondutores para tratamento fotolitográfico posterior, não previsto nos subgrupos H01L21/18 ou H01L21/34186
G FÍSICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TÉCNICAS SEMELHANTES UTILIZANDO ONDAS OUTRAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ELETROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUÇÃO FOTOMECÂNICA DE SUPERFÍCIES TEXTURIZADAS OU ESTAMPADAS, p. ex., PARA IMPRESSÃO, PARA PROCESSAMENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; MATERIAIS PARA AS MESMAS; ORIGINAIS PARA AS MESMAS; APARELHOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA ESSE FIM
7
Produção fotomecânica, p. ex., fotolitografia, produção de superfícies texturizadas ou estampadas, p. ex., superfícies para impressão; Materiais para esse fim, p. ex., compreendendo fotoresistes; Aparelhos especialmente adaptados para esse fim
20
Exposição; aparelhos para esse fim
Requerentes:
株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南二丁目15番3号 15-3, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1086290, JP
Inventores:
佐藤 真路 SATO, Shinji; JP
Mandatário:
立石 篤司 TATEISHI, Atsuji; JP
Dados da prioridade:
Título (EN) ELECTRON BEAM APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL À FAISCEAU D'ÉLECTRONS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
(JA) 電子ビーム装置及びデバイス製造方法
Resumo:
(EN) An electron beam exposure apparatus using a photoelectric element (54i) that produces electrons due to irradiation with light comprises: a light optical system (80i) that has an optical device (84i) capable of supplying a plurality of light beams, and a projection system (86i) located between the optical device and the positioning location of the photoelectric element (54i); an electron optical system that makes electrons into an electron beam and bombards a target therewith, said electrons being produced from the photoelectric element (54i) due to irradiation with at least one light beam from the light optical system; and an adjustment apparatus that can adjust the location of the optical device.
(FR) La présente invention concerne un appareil d'exposition à un faisceau d'électrons faisant appel à un élément photoélectrique (54i) qui produit des électrons au moyen d'un rayonnement lumineux, comprenant : un système lumineux optique (80i) qui comporte un dispositif optique (84i) pouvant fournir une pluralité de faisceaux lumineux, et un système de projection (86i) situé entre le dispositif optique et l'emplacement de positionnement de l'élément photoélectrique (54i) ; un système optoélectronique qui forme un faisceau d'électrons à partir d'électrons et bombarde une cible à l'aide dudit faisceau d'électrons, lesdits électrons étant produits à partir de l'élément photoélectrique (54i) au moyen du rayonnement d'au moins un faisceau lumineux provenant du système lumineux optique ; et un appareil de réglage qui peut régler l'emplacement du dispositif optique.
(JA) 光の照射により電子を発生する光電素子(54)を用いる電子ビーム露光装置は、複数の光ビームを提供可能な光学デバイス(84)、及び光学デバイスと光電素子(54)の配置位置との間に位置する投影系(86)を有する光光学系(80)と、光光学系からの少なくとも1つの光ビームの照射により光電素子(54)から発生する電子を電子ビームとしてターゲットに照射する電子光学系と、光学デバイスの位置を調整可能な調整装置と、を備える。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)