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1. (WO2019063771) GALVANIC ISOLATED DEVICE AND CORRESPONDING SYSTEM
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2019/063771 № do pedido internacional: PCT/EP2018/076419
Data de publicação: 04.04.2019 Data de depósito internacional: 28.09.2018
CIP:
H03K 19/0175 (2006.01) ,H04B 10/80 (2013.01)
H ELECTRICIDADE
03
CIRCUITOS ELETRÔNICOS BÁSICOS
K
TÉCNICAS DIGITAIS
19
Circuitos lógicos, i.e., tendo pelo menos duas entradas atuando sobre uma saída; Circuitos de inversão
0175
Disposições para o acoplamento; Disposições para a interface
H ELECTRICIDADE
04
TÉCNICA DE COMUNICAÇÃO ELÉTRICA
B
TRANSMISSÃO
10
Sistemas de transmissão usando ondas eletromagnéticas outras que não ondas de rádio, p. ex. luz infravermelha, ultravioleta ou na faixa visível, ou utilizando radiação corpuscular como comunicações quânticas.
80
Aspectos ópticos relacionados com o uso de transmissão óptica para aplicações específicas, não cobertos nos gruposH04B10/03-H04B10/70165
Requerentes:
INTERDIGITAL CE PATENT HOLDINGS [FR/FR]; 3 rue du colonel Moll 75017 Paris, FR
Inventores:
MARCHAND, Philippe; FR
FOUQUE, Claude; FR
SALOU, Frédérique; FR
Mandatário:
HUCHET, Anne; FR
PERROT, Sébastien; FR
LORETTE, Anne; FR
ROLLAND, Sophie; FR
LABELLE, Lilian; FR
MORAIN, David; FR
AMOR, Rim; FR
STAHL, Niclas; FR
Dados da prioridade:
17306294.429.09.2017EP
Título (EN) GALVANIC ISOLATED DEVICE AND CORRESPONDING SYSTEM
(FR) DISPOSITIF ISOLÉ GALVANIQUE ET SYSTÈME CORRESPONDANT
Resumo:
(EN) A device including an optoelectric circuit that is configured to provide galvanic isolation between a first circuit and a second circuit is disclosed. The optoelectric circuit includes at least one non-inverting buffer and a metal semiconductor diode. The at least one non-inverting buffer is positioned between a collector of a phototransistor and an anode of a light emitting diode. The metal semiconductor diode is positioned between the collector of the phototransistor and the at least one non-inverting buffer.
(FR) L'invention concerne un dispositif comprenant un circuit optoélectrique configuré pour assurer une isolation galvanique entre un premier et un deuxième circuit. Le circuit optoélectrique comprend au moins un tampon non inverseur et une diode à semi-conducteur métallique. Ledit tampon non inverseur au moins est positionné entre un collecteur d'un phototransistor et une anode d'une diode électroluminescente. La diode à semi-conducteur métallique est positionnée entre le collecteur du phototransistor et ledit tampon non inverseur au moins.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Inglês (EN)
Língua de depósito: Inglês (EN)