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1. (WO2019063650) FLUID SENSOR
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2019/063650 № do pedido internacional: PCT/EP2018/076189
Data de publicação: 04.04.2019 Data de depósito internacional: 26.09.2018
Pedido de exame (capítulo 2) depositado: 29.07.2019
CIP:
G01N 27/414 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
N
INVESTIGAÇÃO OU ANÁLISE DOS MATERIAIS PELA DETERMINAÇÃO DE SUAS PROPRIEDADES QUÍMICAS OU FÍSICAS
27
Investigação ou análise de materiais pelo uso de meios elétricos, eletroquímicos, ou magnéticos
26
pela investigação de variáveis eletroquímicas; pelo uso de eletrólise ou eletroforese
403
Conjuntos de células e de eletrodos
414
Transistores de efeito de campo sensíveis aos íons ou aos agentes químicos, i.e., ISFETS ou CHEMFETS
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
68
controláveis unicamente pela corrente elétrica fornecida ou pelo potencial elétrico aplicado a um eletrodo que não conduz a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efeito de campo
78
com o efeito de campo produzido por uma porta isolada
Requerentes:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München, DE
Inventores:
EISELE, Ignaz; DE
NEUMEIER, Karl; DE
HEIGL, Martin; DE
REISER, Daniel; DE
Mandatário:
HERSINA, Günter; DE
ZIMMERMANN, Tankred; DE
STÖCKELER, Ferdinand; DE
ZINKLER, Franz; DE
SCHENK, Markus; DE
BURGER, Markus; DE
SCHAIRER, Oliver; DE
PFITZNER, Hannes; DE
KÖNIG, Andreas; DE
SCHLENKER, Julian; DE
Dados da prioridade:
10 2017 217 249.527.09.2017DE
Título (DE) FLUIDSENSOR
(EN) FLUID SENSOR
(FR) CAPTEUR DE FLUIDE
Resumo:
(DE) Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel umfasst ein Fluidsensor (100) ein Fluidsensorelement (20) mit einem Substrat (1') das eine Ausnehmung (10) zur Aufnahme eines zu untersuchenden Fluids aufweist, wobei das die Ausnehmung (10) umgebende Substrat (1') zumindest bereichsweise als eine Substratelektrode (1) ausgebildet ist, einer Isolationsschichtanordnung (2) zwischen einer Floating-Gate-Elektrode (4) eines Transistors (7) und der Substratelektrode (1), und einer Sensorschicht (6) in der Ausnehmung (10) und benachbart zu der Floating-Gate-Elektrode (4), einer Zusatzelektrode (3) an einem Öffnungsbereich (10-1) der Ausnehmung (10), wobei die Zusatzelektrode (3) elektrisch getrennt von der Sensorschicht (6), der Substratelektrode (1) und der Floating-Gate-Elektrode (4) angeordnet ist und mit einem Steuerpotential P8 verbunden oder verbindbar ist, und eine Verarbeitungseinrichtung (8), die ausgebildet ist, um das Steuerpotential P8 an der Zusatzelektrode (3) so bereitzustellen, dass im Betrieb des Fluidsensors (100) ein elektrisches Feld zwischen der Zusatzelektrode (3) und der Sensorschicht (6) zumindest reduziert oder kompensiert ist.
(EN) According to a further exemplary embodiment, a fluid sensor (100) comprises a fluid sensor element (20) having a substrate (1') which has a recess (10) for receiving a fluid to be examined, the substrate (1') surrounding the recess (10) being formed at least in regions as a substrate electrode (1), an insulation layer arrangement (2) between a floating gate electrode (4) of a transistor (7) and the substrate electrode (1), a sensor layer (6) in the recess (10) and adjacent to the floating gate electrode (4), an additional electrode (3) at an opening region (10-1) of the recess (10), wherein the additional electrode (3) is arranged so as to be electrically isolated from the sensor layer (6), the substrate electrode (1) and the floating gate electrode (4) and is connected or can be connected to a control potential P8, and a processing device (8) which is designed to provide the control potential P8 at the additional electrode (3) such that an electric field between the additional electrode (3) and the sensor layer (6) is at least reduced or compensated for during operation of the fluid sensor (100).
(FR) Selon un autre exemple de réalisation, un capteur de fluide (100) comprend un élément (20) pourvu d'un substrat (1') qui comporte un évidement (10) destiné à recevoir un fluide à examiner, le substrat (1') entourant l'évidement (10) étant réalisé au moins par endroits sous la forme d'une électrode de substrat (1), un ensemble de couches isolantes (2) entre une électrode de grille flottante (4) d'un transistor (7) et l'électrode de substrat (1), et une couche de capteur (6) placée dans l'évidement (10) et adjacente à l'électrode de grille flottante (4), une électrode supplémentaire (3) au niveau d'une zone d'ouverture (10-1) de l'évidement (10), l'électrode supplémentaire (3) étant séparée électriquement de la couche de capteur (6), de l'électrode de substrat (1) et de l'électrode de grille flottante (4) et étant ou pouvant être reliée à un potentiel de commande P8, et un dispositif de traitement (8) étant conçu pour fournir le potentiel de commande P8 à l'électrode supplémentaire (3) de sorte que, pendant le fonctionnement du capteur de fluide (100), un champ électrique entre l'électrode supplémentaire (3) et la couche de capteur (6) soit au moins réduit ou compensé.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Alemão (DE)
Língua de depósito: Alemão (DE)