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1. (WO2019063413) METHOD FOR PRODUCING A NITROGEN-FREE LAYER COMPRISING SILICON CARBIDE
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№ de pub.: WO/2019/063413 № do pedido internacional: PCT/EP2018/075493
Data de publicação: 04.04.2019 Data de depósito internacional: 20.09.2018
CIP:
H01L 21/02 (2006.01) ,C01B 32/956 (2017.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
[IPC code unknown for C01B 32/956]
Requerentes:
PSC TECHNOLOGIES GMBH [DE/DE]; Berchtesgadener Straße 8 10779 Berlin, DE
Inventores:
GREULICH-WEBER, Siegmund; DE
Mandatário:
VON ROHR PATENTANWÄLTE PARTNERSCHAFT MBB; Dr. Alexander Freiherr von Foullon Rüttenscheider Straße 62 45130 Essen, DE
Dados da prioridade:
10 2017 122 708.329.09.2017DE
Título (EN) METHOD FOR PRODUCING A NITROGEN-FREE LAYER COMPRISING SILICON CARBIDE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE SANS AZOTE, PRÉSENTANT DU CARBURE DE SILICIUM
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SILICIUMCARBID AUFWEISENDEN STICKSTOFFFREIEN SCHICHT
Resumo:
(EN) The invention relates to a method for producing a thin nitrogen-free layer of silicon carbide by means of a solution or dispersion containing carbon and silicon.
(FR) La présente invention concerne un procédé pour produire une couche mince, sans azote, de carbure de silicium au moyen d'une solution ou d’une dispersion contenant du carbone et du silicium.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer dünnen stickstofffreien Schicht aus Siliciumcarbid mittels einer kohlenstoff- und siliciumhaltigen Lösung oder Dispersion.
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: alemão (DE)
Língua de depósito: alemão (DE)