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1. (WO2019063411) SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
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Patentansprüche

1. Halbleiterlaserdiode (1) mit

- einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20);

- einer Strahlungsauskoppelfläche (10), die senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs verläuft;

- einer Hauptfläche (11), die die Halbleiterschichtenfolge in vertikaler Richtung begrenzt;

- einer Kontaktschicht (3) , die an die Hauptfläche angrenzt; und

- einer wärmeableitenden Schicht (4), die bereichsweise auf einer dem aktiven Bereich abgewandten Seite der

Kontaktschicht angeordnet ist, wobei die Kontaktschicht stellenweise für eine externe elektrische Kontaktierung der Halbleiterlaserdiode freiliegt.

2. Halbleiterlaserdiode nach Anspruch 1,

wobei die wärmeableitende Schicht elektrisch isolierend ist und eine Wärmeleitfähigkeit von mindestens 100 W/ (K*m) aufweist .

3. Halbleiterlaserdiode nach Anspruch 1 oder 2,

wobei die wärmeableitende Schicht diamantähnlichen

Kohlenstoff, ein Carbid, ein Nitrid oder ein Oxid enthält.

4. Halbleiterlaserdiode nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die wärmeableitende Schicht in Draufsicht auf die

Halbleiterlaserdiode zu mindestens 70 % ihrer gesamten Fläche innerhalb eines Bestromungsbereichs (19), in dem die

Kontaktschicht Ladungsträger über die Hauptfläche in die Halbleiterschichtenfolge einprägt, angeordnet ist.

5. Halbleiterlaserdiode nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die wärmeableitende Schicht zumindest eine Öffnung (45) aufweist, in der die Kontaktschicht freiliegt, wobei die Öffnung der wärmeableitenden Schicht ein Aspektverhältnis von höchstens 1:1 aufweist.

6. Halbleiterlaserdiode nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei eine Materialbelegung der Kontaktschicht mit der wärmeableitenden Schicht ausgehend von einer

Hauptabstrahlungsachse mit zunehmendem Abstand von der

Hauptabstrahlungsachse und/oder ausgehend von der

Strahlungsauskoppelfläche mit zunehmendem Abstand von der Strahlungsauskoppelfläche im Mittel abnimmt.

7. Halbleiterlaserdiode nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei eine Flächenbelegung der Kontaktschicht mit der

wärmeableitenden Schicht ausgehend von einer

Hauptabstrahlungsachse mit zunehmendem Abstand von der

Hauptabstrahlungsachse im Mittel abnimmt.

8. Halbleiterlaserdiode nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei eine Flächenbelegung der Kontaktschicht mit der

wärmeableitenden Schicht ausgehend von der

Strahlungsauskoppelfläche mit zunehmendem Abstand von der Strahlungsauskoppelfläche im Mittel abnimmt.

9. Halbleiterlaserdiode nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die wärmeableitende Schicht zumindest stellenweise voneinander beabstandete Teilbereiche (41) aufweist, wobei ein Abstand der Teilbereiche mit zunehmendem Abstand von der Strahlungsauskoppelfläche zunimmt und/oder eine Ausdehnung der Teilbereiche entlang der Hauptabstrahlungsachse abnimmt.

10. Halbleiterlaserdiode nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei jeder beliebige Punkt in der wärmeableitenden Schicht in Draufsicht auf die Halbleiterlaserdiode höchstens 10 ym von der Kontaktschicht entfernt ist.

11. Halbleiterlaserdiode nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei eine vertikale Ausdehnung der wärmeableitenden Schicht variiert .

12. Halbleiterlaserdiode nach Anspruch 11,

wobei die vertikale Ausdehnung der wärmeableitenden Schicht mit zunehmendem Abstand von der Strahlungsauskoppelfläche abnimmt .

13. Halbleiterlaserdiode nach Anspruch 11 oder 12,

wobei die vertikale Ausdehnung der wärmeableitenden Schicht mit zunehmendem Abstand von einer Hauptabstrahlungsachse abnimmt .

14. Halbleiterlaserdiode nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei auf der Halbleiterschichtenfolge außerhalb des

Bestromungsbereichs eine Wärmeblockierschicht (7) angeordnet ist .

15. Halbleiterlaserdiode nach Anspruch 14,

wobei die Wärmeblockierschicht in vertikaler Richtung

innerhalb der Kontaktschicht angeordnet ist.

16. Halbleiterbauelement mit einer Halbleiterlaserdiode nach einem der vorherigen Ansprüche und mit einer Wärmesenke (6), wobei die Halbleiterlaserdiode mit einem Verbindungsmittel (65) an der Wärmesenke befestigt ist, wobei das

Verbindungsmittel unmittelbar an die wärmeableitende Schicht und an die Kontaktschicht angrenzt.

17. Halbleiterbauelement nach Anspruch 16,

wobei die wärmeableitende Schicht eine mindestens doppelt so große Wärmeleitfähigkeit aufweist wie das Verbindungsmittel.