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1. (WO2019063411) SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2019/063411 № do pedido internacional: PCT/EP2018/075486
Data de publicação: 04.04.2019 Data de depósito internacional: 20.09.2018
CIP:
H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 5/024 (2006.01) ,H01S 5/042 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
02
Detalhes ou componentes estruturais não essenciais para a ação do laser
022
Montagens; Invólucros
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
02
Detalhes ou componentes estruturais não essenciais para a ação do laser
024
Disposições de resfriamento
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
S
DISPOSITIVOS UTILIZANDO A EMISSÃO ESTIMULADA
5
Lasers de semicondutores
04
Processos ou aparelhos para excitação, p. ex., bombeamento
042
Excitação elétrica
Requerentes:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventores:
BACHMANN, Alexander; DE
ENZMANN, Roland Heinrich; MY
MÜLLER, Michael; DE
Mandatário:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Dados da prioridade:
10 2017 122 330.426.09.2017DE
Título (DE) HALBLEITERLASERDIODE UND HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) DIODE LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
Resumo:
(DE) Es wird eine Halbleiterlaserdiode (1) angegeben, mit - einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20); - einer Strahlungsauskoppelfläche (10), die senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs verläuft; - einer Hauptfläche (11), die die Halbleiterschichtenfolge in vertikaler Richtung begrenzt; - einer Kontaktschicht (3), die an die Hauptfläche angrenzt; und - einer wärmeableitenden Schicht (4), die bereichsweise auf einer dem aktiven Bereich abgewandten Seite der Kontaktschicht angeordnet ist, wobei die Kontaktschicht stellenweise für eine externe elektrische Kontaktierung der Halbleiterlaserdiode freiliegt. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement angegeben.
(EN) The invention relates to a semiconductor laser diode (1) comprising: - a semiconductor layer sequence (2) having an active region (20) provided for generating radiation; - a radiation decoupling surface (10) which extends perpendicular to a main extension plane of the active region; - a main surface (11) which delimits the semiconductor layer sequence in the vertical direction; - a contact layer (3) which adjoins the main surface; and - a heat-dissipating layer (4), regions of which are arranged on a side of the contact layer facing away from the active region, wherein the contact layer is exposed in places for external electrical contact of the semiconductor laser diode. The invention also relates to a semiconductor component.
(FR) L'invention concerne une diode laser à semi-conducteur (1) comprenant une succession de couches semi-conductrices (2) présentant une zone active (20) destinée à générer un rayonnement ; une surface de sortie de rayonnement (10) qui s'étend perpendiculairement à un plan principal de la zone active ; une surface principale (11) qui délimite la succession de couches semi-conductrices dans la direction verticale ; une couche de contact (3) adjacente à la surface principale ; et une couche de dissipation thermique (4) qui est disposée par endroits sur un côté de la couche de contact opposé à la zone active, la couche de contact étant apparente par endroits pour permettre une mise en contact électrique externe de la diode laser à semi-conducteur. L'invention concerne en outre un composant semi-conducteur.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Alemão (DE)
Língua de depósito: Alemão (DE)