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1. (WO2019061826) MTJ DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND MRAM
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№ de pub.: WO/2019/061826 № do pedido internacional: PCT/CN2017/114964
Data de publicação: 04.04.2019 Data de depósito internacional: 07.12.2017
CIP:
H01L 43/08 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
43
Dispositivos usando efeitos galvanomagnéticos ou efeitos magnéticos similares; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou o tratamento desses dispositivos ou de suas partes
08
Resistores controlados por campo magnético
Requerentes:
中电海康集团有限公司 CETHIK GROUP CO. LTD [CN/CN]; 中国浙江省杭州市 余杭区文一西路1500号1幢311室 Room 311, Building 1 No. 1500 Wenyi West Road, Yuhang District Hangzhou, Zhejiang 311121, CN
Inventores:
孟凡涛 MENG, Fantao; CN
Mandatário:
北京康信知识产权代理有限责任公司 KANGXIN PARTNERS,P.C.; 中国北京市 海淀区知春路甲48号盈都大厦A座16层 Floor 16,Tower A,Indo Building A48 Zhichun Road, Haidian District Beijing 100098, CN
Dados da prioridade:
201710900289.628.09.2017CN
Título (EN) MTJ DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND MRAM
(FR) DISPOSITIF MTJ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET MRAM
(ZH) MTJ器件、其制作方法与MRAM
Resumo:
(EN) An MTJ device and a manufacturing method therefor. The manufacturing method comprises: step S1, providing a preliminary dielectric film (02) on a substrate (1); step S2, forming through holes (24) in the preliminary dielectric film (02) to form a dielectric film (2), the connecting holes (24) being connected to the substrate (1), and the bore diameters of the through holes (24) first increasing and then decreasing in the direction distant from the substrate (1); and step S3, providing an MTJ structural layer in the through hole (24), the structural layer comprising a reference layer (3), an insulating barrier layer (4) and a free layer (5) sequentially superposed, the insulating barrier layer (4) being located at the position where the bore diameter of the through hole (24) is maximum, and the insulating barrier layer (4) and the sidewall of the through hole (24) being provided at interval. The manufacturing method can avoid metal particles from sputtering on the sidewall of the through hole (24) to contact with the insulating barrier layer (4) during deposition of the free layer (5) to a great extent, so as to avoid the short circuit caused by conducting the free layer (5) and the reference layer (3), thereby ensuring good performance of the MTJ device. Also provided is an MRAM comprising the MTJ device.
(FR) La présente invention concerne un dispositif MTJ et son procédé de fabrication. Le procédé de fabrication comprend : étape S1, fournir un film diélectrique préliminaire (02) sur un substrat (1) ; étape S2, former des trous traversants (24) dans le film diélectrique préliminaire (02) pour former un film diélectrique (2), les trous de liaison (24) étant reliés au substrat (1), et les diamètres d'alésage des trous traversants (24) augmentant d'abord et diminuant ensuite dans la direction distante du substrat (1) ; et étape S3, fournir une couche structurale MTJ dans le trou traversant (24), la couche structurale comprenant une couche de référence (3), une couche barrière isolante (4) et une couche libre (5) séquentiellement superposées, la couche barrière isolante (4) étant située à la position où le diamètre d'alésage du trou traversant (24) est au maximum, et la couche barrière isolante (4) et la paroi latérale du trou traversant (24) étant disposées à intervalle. Le procédé de fabrication peut éviter des particules métalliques de pulvérisation sur la paroi latérale du trou traversant (24) pour entrer en contact avec la couche barrière isolante (4) pendant le dépôt de la couche libre (5) dans une large mesure, de manière à éviter le court-circuit provoqué par la conduction de la couche libre (5) et de la couche de référence (3), assurant ainsi une bonne performance du dispositif MTJ. L'invention concerne également un MRAM comprenant le dispositif MTJ.
(ZH) 一种MTJ器件及其制作方法,该制作方法包括:步骤S1,在基底(1)上设置预介电膜(02);步骤S2,在预介电膜(02)中开设通孔(24),形成介电膜(2),通孔(24)与基底(1)连接,通孔(24)的孔径沿着远离基底(1)的方向先增大后减小;步骤S3,在通孔(24)中设置MTJ结构层,且结构层包括依次叠置的参考层(3)、绝缘势垒层(4)以及自由层(5),且绝缘势垒层(4)位于通孔(24)的孔径最大的位置处,且绝缘势垒层(4)与通孔(24)的侧壁间隔设置。该制作方法可以很大程度上避免在沉积自由层(5)时,金属颗粒溅射到通孔(24)的侧壁上与绝缘势垒层(4)接触,进而使得自由层(5)与参考层(3)导通导致的短路问题,保证了MTJ器件具有良好的性能。还提供了一种包括上述MTJ器件的MRAM。
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Língua de publicação: chinês (ZH)
Língua de depósito: chinês (ZH)