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1. (WO2019060999) INITIATING AND MONITORING THE EVOLUTION OF SINGLE ELECTRONS WITHIN ATOM-DEFINED STRUCTURES
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№ de pub.: WO/2019/060999 № do pedido internacional: PCT/CA2018/051224
Data de publicação: 04.04.2019 Data de depósito internacional: 28.09.2018
CIP:
B82B 3/00 (2006.01) ,G06N 3/08 (2006.01) ,G01Q 60/24 (2010.01) ,G01Q 60/04 (2010.01)
B OPERAÇÕES DE PROCESSAMENTO; TRANSPORTE
82
NANOTECNOLOGIA
B
NANO ESTRUTURAS FORMADAS POR MANIPULAÇÃO INDIVIDUAL DE ÁTOMOS, MOLÉCULAS, OU GRUPOS LIMITADOS DE ÁTOMOS OU MOLÉCULAS COMO UNIDADES DISCRETAS; FABRICAÇÃO OU SEU TRATAMENTO
3
Fabricação ou tratamento de nano estruturas formadas por manipulação individual de átomos, moléculas, ou grupos limitados de átomos ou moléculas como unidades discretas
G FÍSICA
06
CÔMPUTO; CÁLCULO; CONTAGEM
N
SISTEMAS DE COMPUTADOR BASEADOS EM MODELOS COMPUTACIONAIS ESPECÍFICOS
3
Sistemas de computador baseados em modelos biológicos
02
usando modelos de rede neural
08
Métodos de aprendizagem
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
Q
TÉCNICAS OU APARELHOS DE VARREDURA POR SONDA; APLICAÇÕES DE TÉCNICAS DE VARREDURA POR SONDA, p. ex. MICROSCOPIA DE VARREDURA POR SONDA [SPM]
60
Tipos particulares de SPM [Microscopia por Varredura por Sonda] ou aparelhos correlatos; Componentes essenciais correlatos
24
AFM [Microscopia de Força Atômica] ou aparelhos correlatos, p. ex. pontas de prova AFM
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
Q
TÉCNICAS OU APARELHOS DE VARREDURA POR SONDA; APLICAÇÕES DE TÉCNICAS DE VARREDURA POR SONDA, p. ex. MICROSCOPIA DE VARREDURA POR SONDA [SPM]
60
Tipos particulares de SPM [Microscopia por Varredura por Sonda] ou aparelhos correlatos; Componentes essenciais correlatos
02
SPM de tipo múltiplo, i.e. envolvendo duas ou mais técnicas de SPM
04
STM [Microscopia de Tunelamento] combinada com AFM [Microscopia de Força Atômica]
Requerentes:
QUANTUM SILICON INC. [CA/CA]; 11421 Saskatchewan Drive Edmonton, Alberta T6G 2M9, CA
Inventores:
WOLKOW, Robert; CA
RASHIDI, Mohammad; CA
VINE, Wyatt; CA
DIENEL, Thomas; CA
LIVADARU, Lucian; CA
HUFF, Taleana; CA
RETALLICK, Jacob; CA
WALUS, Konrad; CA
Mandatário:
RIDOUT & MAYBEE LLP; 5500 North Service Road Suite 101 Burlington, Ontario L7L 6W6, CA
LEACH, Steven; CA
Dados da prioridade:
62/564,73428.09.2017US
Título (EN) INITIATING AND MONITORING THE EVOLUTION OF SINGLE ELECTRONS WITHIN ATOM-DEFINED STRUCTURES
(FR) INITIATION ET SURVEILLANCE DE L'ÉVOLUTION D'ÉLECTRONS INDIVIDUELS DANS DES STRUCTURES DÉFINIES PAR UN ATOME
Resumo:
(EN) A method for the patterning and control of single electrons on a surface is provided that includes implementing scanning tunneling microscopy hydrogen lithography with a scanning probe microscope to form charge structures with one or more confined charges; performing a series of field-free atomic force microscopy measurements on the charge structures with different tip heights, where interaction between the tip and the confined charge are elucidated; and adjusting tip heights to controllably position charges within the structures to write a given charge state. The present disclose also provides a Gibb's distribution machine formed with the method for the patterning and control of single electrons on a surface. A multi bit true random number generator and neural network learning hardware formed with the above described method are also provided.
(FR) L'invention concerne un procédé destiné à la formation de motifs et la commande d'électrons individuels sur une surface, qui comprend la mise en œuvre d'une lithographie à l'hydrogène par microscopie à effet tunnel à balayage utilisant un microscope à sonde à balayage pour former des structures de charge comptant au moins une charge confinée ; la réalisation d'une série de mesures de microscopie à force atomique sans champ sur les structures de charge selon différentes hauteurs de pointe, l'interaction entre la pointe et la charge confinée étant élucidée ; et le réglage de hauteurs de pointe pour positionner de manière réglable des charges à l'intérieur des structures, pour écrire un état de charge donné. La présente invention concerne également une machine de distribution de Gibb, formée selon le procédé de formation de motifs et de commande d'électrons individuels sur une surface. L'invention concerne également un générateur de nombres aléatoires vrais multi-bits et un matériel d'apprentissage de réseau neuronal formé selon le procédé décrit ci-dessus.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Inglês (EN)
Língua de depósito: Inglês (EN)