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1. (WO2019050625) CIRCUITRY FOR WRITING TO AND READING FROM AN ARRAY OF RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELLS
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№ de pub.: WO/2019/050625 № do pedido internacional: PCT/US2018/042342
Data de publicação: 14.03.2019 Data de depósito internacional: 16.07.2018
CIP:
G11C 13/02 (2006.01) ,G11C 5/02 (2006.01) ,G11C 5/04 (2006.01)
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
13
Memórias digitais caracterizadas pelo emprego de elementos de memória não abrangidos pelos grupos G11C11/, G11C23/, ou G11C25/200
02
usando elementos cujo funcionamento depende de uma transformação química
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
5
Detalhes de memórias abrangidos pelo grupo G11C11/71
02
Disposição dos elementos de memória, p. ex., em forma de matriz
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
5
Detalhes de memórias abrangidos pelo grupo G11C11/71
02
Disposição dos elementos de memória, p. ex., em forma de matriz
04
Suportes para os elementos de memória; Montagem ou fixação dos elementos de memória nesses suportes
Requerentes:
SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134, US
Inventores:
TRAN, Hieu, Van; US
LY, Anh; US
VU, Thuan; US
HONG, Stanley; US
ZHOU, Feng; US
LIU, Xian; US
DO, Nhan; US
Mandatário:
YAMASHITA, Brent; US
Dados da prioridade:
15/701,07111.09.2017US
Título (EN) CIRCUITRY FOR WRITING TO AND READING FROM AN ARRAY OF RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELLS
(FR) CIRCUIT D'ÉCRITURE SUR ET DE LECTURE À PARTIR D'UN RÉSEAU DE CELLULES DE MÉMOIRE RÉSISTIVE À ACCÈS ALÉATOIRE
Resumo:
(EN) Numerous embodiments of circuitry for writing to and reading from resistive random access memory cells are disclosed. Various architectures and layouts for an array of resistive access memory cells also are disclosed.
(FR) Selon de nombreux modes de réalisation, l'invention concerne des circuits d'écriture sur et de lecture à partir de cellules de mémoire résistive à accès aléatoire. L'invention concerne également diverses architectures et agencements pour un réseau de cellules de mémoire à accès résistif.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)