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1. (WO2019050185) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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№ de pub.: WO/2019/050185 № do pedido internacional: PCT/KR2018/009356
Data de publicação: 14.03.2019 Data de depósito internacional: 14.08.2018
CIP:
H01L 31/0725 (2012.01) ,H01L 31/0376 (2006.01) ,H01L 31/0368 (2006.01) ,H01L 31/046 (2014.01) ,H01L 31/032 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 31/0224 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
04
adaptados como dispositivos de conversão
06
caracterizados por pelo menos uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície
072
sendo as barreiras de potencial unicamente do tipo heterojunção PN
0725
Células solares de multiplas junções ou 'tandem'
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
0248
caracterizados por seus corpos semicondutores
036
caracterizados por sua estrutura cristalina ou pela orientação particular dos planos cristalinos
0376
compreendendo semidcondutores amorfos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
0248
caracterizados por seus corpos semicondutores
036
caracterizados por sua estrutura cristalina ou pela orientação particular dos planos cristalinos
0368
compreendendo semicondutores policristalinos
[IPC code unknown for H01L 31/046]
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
0248
caracterizados por seus corpos semicondutores
0256
caracterizados pelo material
0264
Materiais inorgânicos (minerais)
032
compreendendo, além dos materiais dopados ou outras impurezas, somente compostos não incluídos nos grupos H01L31/0272-H01L31/0312157
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
18
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou o tratamento desses dispositivos ou de suas partes
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
02
Detalhes
0224
Eletrodos
Requerentes:
엘지전자 주식회사 LG ELECTRONICS INC. [KR/KR]; 서울시 영등포구 여의대로 128 128, Yeoui-daero Yeongdeungpo-gu Seoul 07336, KR
Inventores:
이기원 LEE, Giwon; KR
권정효 KWON, Jeonghyo; KR
심구환 SHIM, Goo Hwan; KR
양영성 YANG, Youngsung; KR
Mandatário:
특허법인 대아 DAE-A INTELLECTUAL PROPERTY CONSULTING; 서울시 강남구 역삼로 123 한양빌딩 3층 3F, Hanyang Bldg., 123 Yeoksam-ro Gangnam-gu Seoul 06243, KR
Dados da prioridade:
10-2017-011346305.09.2017KR
10-2017-013404116.10.2017KR
Título (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 태양전지 및 그 제조 방법
Resumo:
(EN) The present invention relates to a solar cell wherein some of unit layers constituting the solar cell are simultaneously formed such that light transmittance is improved and a current leak is suppressed, through a tunnel junction technology, thereby enabling the solar cell to have excellent temperature characteristics and photoelectric conversion efficiency or materials of the unit layers constituting the solar cell are designed such that photoelectric conversion efficiency is maximized through current matching between solar cells.
(FR) La présente invention concerne une cellule solaire dans laquelle certaines des couches unitaires constituant la cellule solaire sont formées simultanément de manière à améliorer le facteur de transmission lumineuse et à supprimer une fuite de courant, au moyen d'une technologie de jonction tunnel, ce qui permet à la cellule solaire de présenter d'excellentes caractéristiques de température et un excellent rendement de conversion photoélectrique, ou des matériaux des couches unitaires constituant la cellule solaire sont conçus de manière à maximiser le rendement de conversion photoélectrique par adaptation de courant entre cellules solaires.
(KO) 본 발명은 태양전지를 구성하는 단위 층들의 일부를 동시에 형성함으로써 터널 접합 기술에 의해 광투과도를 향상시키고 누설전류를 억제하며 우수한 온도 특성 및 광전 변환 효율을 가지거나 또는 태양전지를 구성하는 단위 층들의 재료를 설계하여 각 태양전지들 사이의 전류 매칭을 통해 광전 변환 효율을 극대화 한 태양전지에 관한 것이다.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: coreano (KO)
Língua de depósito: coreano (KO)