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1. (WO2019048767) PROCESS FOR MANUFACTURING AN LED-BASED EMISSIVE DISPLAY DEVICE
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№ de pub.: WO/2019/048767 № do pedido internacional: PCT/FR2018/052152
Data de publicação: 14.03.2019 Data de depósito internacional: 03.09.2018
CIP:
H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/58 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
25
Montagens, consistindo de vários dispositivos semicondutores individuais ou outros dispositivos de estado sólido
03
todos os dispositivos sendo de um tipo incluído no mesmo subgrupo dos grupos H01L27/-H01L51/128
04
não tendo os dispositivos recipientes separados
075
sendo os dispositivos de um tipo previsto no grupo H01L33/78
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
48
caracterizado pelos encapsulamentos do corpo semicondutor
58
Elementos formados por campo óptico
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
48
caracterizado pelos encapsulamentos do corpo semicondutor
62
Dispositivos para condução de corrente elétrica para ou do corpo semicondutor, p. ex., condutor, fio de ligação ou bolas de solda
Requerentes:
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; Bâtiment Le Ponant D 25 Rue Leblanc 75015 Paris, FR
Inventores:
ROBIN, Ivan-Christophe; FR
CAPLET, Stéphane; FR
ROSSINI, Umberto; FR
Mandatário:
CABINET BEAUMONT; 4 Place Robert Schuman B.P. 1529 38025 Grenoble Cedex 1, FR
Dados da prioridade:
175818905.09.2017FR
Título (EN) PROCESS FOR MANUFACTURING AN LED-BASED EMISSIVE DISPLAY DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE EMISSIF A LED
Resumo:
(EN) The invention relates to a process for manufacturing an LED-based display device, including the following successive steps: a) adding, to a planar face of a carrier wafer (150) made of a transparent material, the other face of which is structured and defines a plurality of microlenses, a plurality of semiconductor chips (100), each comprising at least one LED; and b) forming a network (130) of conductive interconnect tracks making contact with the chips (100) via their face that is opposite the carrier wafer (150).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à LED, comportant les étapes successives suivantes : a) reporter, sur une face plane d'une plaque de support (150) en un matériau transparent dont l'autre face est structurée et définit une pluralité de microlentilles, une pluralité de puces semiconductrices (100) comprenant chacune au moins une LED; et b) former un réseau (130) de pistes conductrices d'interconnexion contactant les puces (100) par leur face opposée à la plaque de support (150).
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: francês (FR)
Língua de depósito: francês (FR)