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1. (WO2019046631) GLASSY CARBON PROBE AND MICROFABRICATION METHOD
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№ de pub.: WO/2019/046631 № do pedido internacional: PCT/US2018/048938
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 30.08.2018
CIP:
A61B 5/02 (2006.01) ,A61B 5/0492 (2006.01) ,A61B 17/74 (2006.01) ,G01R 1/06 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
A NECESSIDADES HUMANAS
61
CIÊNCIA MÉDICA OU VETERINÁRIA; HIGIENE
B
DIAGNÓSTICO; CIRURGIA; IDENTIFICAÇÃO
5
Medição com finalidades de diagnóstico; Identificação de pessoas
02
Detecção, medição ou registro de pulsação, ritmo cardíaco, pressão ou fluxo sanguíneo; Determinação da pulsação/ritmo cardíaco/pressão sanguínea combinadas; Avaliação de uma condição cardiovascular não incluída em outro local, p. ex., usando combinações de técnicas incluídas neste grupo com eletrocardiografia; Cateteres cardiológicos para medir pressão sanguínea
A NECESSIDADES HUMANAS
61
CIÊNCIA MÉDICA OU VETERINÁRIA; HIGIENE
B
DIAGNÓSTICO; CIRURGIA; IDENTIFICAÇÃO
5
Medição com finalidades de diagnóstico; Identificação de pessoas
04
Detecção, medição ou registro dos sinais bioelétricos do corpo ou suas partes
0488
Eletromiografia
0492
Eletrodos especialmente adaptados para esse fim, p. ex., eletrodos de agulha
A NECESSIDADES HUMANAS
61
CIÊNCIA MÉDICA OU VETERINÁRIA; HIGIENE
B
DIAGNÓSTICO; CIRURGIA; IDENTIFICAÇÃO
17
Instrumentos cirúrgicos, dispositivos ou métodos, p. ex., torniquetes
56
Métodos cirúrgicos para tratamento de ossos ou articulações; Dispositivos especialmente adaptados aos mesmos
58
para osteosíntese, p. ex., placas ósseas, parafusos ou semelhante
68
Dispositivos de fixação interna
74
Dispositivos para a cabeça do fêmur
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
R
MEDIÇÃO DE VARIÁVEIS ELÉTRICAS; MEDIÇÃO DE VARIÁVEIS MAGNÉTICAS
1
Detalhes de instrumentos ou disposições dos tipos abrangidos pelos gruposG01R5/-G01R13/124
02
Detalhes estruturais gerais
06
Guias de medição; Sondas de medição
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
31
para formar camadas isolantes nos mesmos, p. ex., para mascarar ou usando técnicas fotolitográficas; Pós-tratamento dessas camadas; Seleção de materiais para estas camadas
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
71
Manufatura de partes específicas de dispositivos definidos no grupo H01L21/7095
768
Aplicando interligações para serem utilizadas para carregar corrente entre componentes separados dentro de um dispositivo
Requerentes:
SAN DIEGO STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 5500 Campanile Drive SSE 1410B San Diego, CA 92182-8220, US
Inventores:
KASSEGNE, Sanuel, K.; US
NIMBALKAR, Surabhi; US
BALASUBRAMANI, Arvind; US
Mandatário:
MATHEWS, Glen, T.; US
LISA, Adams; US
AZRIN, Linda, B.; US
AMENDT, Kevin, C.; US
BAUER, John, A.; US
Dados da prioridade:
62/552,30430.08.2017US
Título (EN) GLASSY CARBON PROBE AND MICROFABRICATION METHOD
(FR) SONDE EN CARBONE VITREUX ET PROCÉDÉ DE MICROFABRICATION
Resumo:
(EN) A probe device is disclosed that includes one or more insulating layers and a glassy carbon layer. The glassy carbon layer includes one or more channels. Each channel includes a microstructure, which may include an electrode region, interconnect region, and bump pad region. The electrode region may be placed in contact with a human or animal patient or test subject and used to collect or deliver signals in applications such as electrocorticography (ECoG), electromyography (EMG), and neural stimulation. A method of making a probe includes depositing a glassy carbon precursor on a substrate, patterning the precursor using photolithography, pyrolyzing the precursor to allow the formation of glassy carbon, and depositing one or more insulating layers.
(FR) L'invention concerne un dispositif sonde qui comprend une ou plusieurs couches isolantes et une couche de carbone vitreux. La couche de carbone vitreux comprend un ou plusieurs canaux. Chaque canal comprend une microstructure, qui peut comprendre une région d'électrode, une région d'interconnexion et une région de plot en bosse. La région d'électrode peut être placée en contact avec un patient humain ou animal ou un sujet de test et utilisée pour collecter ou délivrer des signaux dans des applications telles que l'électrocorticographie (ECoG), l'électromyographie (EMG) et la stimulation neuronale. Un procédé de fabrication d'une sonde comprend le dépôt d'un précurseur de carbone vitreux sur un substrat, la formation de motifs du précurseur à l'aide de la photolithographie, la pyrolyse du précurseur pour permettre la formation de carbone vitreux, et le dépôt d'une ou de plusieurs couches isolantes.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)