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1. (WO2019046326) READ VOLTAGE CALIBRATION BASED ON HOST IO OPERATIONS
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№ de pub.: WO/2019/046326 № do pedido internacional: PCT/US2018/048383
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 28.08.2018
CIP:
G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 16/30 (2006.01)
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
16
Memórias somente para leitura, programáveis e apagáveis (EPROM)
02
programáveis eletricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ex., para escrita dentro da memória
26
Circuitos de leitura ou sensibilidade; Circuitos de saída de dados
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
16
Memórias somente para leitura, programáveis e apagáveis (EPROM)
02
programáveis eletricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ex., para escrita dentro da memória
30
Circuitos de fornecimento de tensão
Requerentes:
RATNAM, Sampath [IN/US]; US
TANPAIROJ, Kulachet [US/US]; US
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventores:
RATNAM, Sampath; US
TANPAIROJ, Kulachet; US
MALSHE, Ashutosh; US
MUCHHERLA, Kishore Kumar; US
SINGIDI, Harish Reddy; US
FEELEY, Peter Sean; US
LUO, Ting; US
Dados da prioridade:
15/689,74729.08.2017US
Título (EN) READ VOLTAGE CALIBRATION BASED ON HOST IO OPERATIONS
(FR) ÉTALONNAGE DE TENSION DE LECTURE SUR LA BASE D'OPÉRATIONS ES HÔTES
Resumo:
(EN) Devices and techniques for read voltage calibration of a flash-based storage system based on host IO operations are disclosed. In an example, a memory device includes a NAND memory array having groups of multiple blocks of memory cells, and a memory controller to optimize voltage calibration for reads of the memory array. In an example, the optimization technique includes monitoring read operations occurring to a respective block, identifying a condition to trigger a read level calibration based on the read operations, and performing the read level calibration for the respective block or a memory component that includes the respective block. In a further example, the calibration is performed based on a threshold voltage to read the respective block, which may be considered when the threshold voltage to read the respective block is evaluated within a sampling operation performed by the read level calibration.
(FR) L'invention concerne des dispositifs et des techniques pour l'étalonnage de tension de lecture d'un système de stockage basé sur flash sur la base d'opérations ES hôtes. Dans un exemple, un dispositif de mémoire comprend un réseau de mémoire NON-ET comportant des groupes de multiples blocs de cellules de mémoire, et un dispositif de commande de mémoire afin d'optimiser l'étalonnage de tension pour des lectures du réseau de mémoire. Dans un exemple, la technique d'optimisation comprend la surveillance d'opérations de lecture se produisant dans un bloc respectif, l'identification d'une condition pour déclencher un étalonnage de niveau de lecture sur la base des opérations de lecture, et la réalisation de l'étalonnage de niveau de lecture pour le bloc respectif ou un composant de mémoire qui comprend le bloc respectif. Dans un autre exemple, l'étalonnage est effectué sur la base d'une tension de seuil afin de lire le bloc respectif, ce qui peut être pris en compte lorsque la tension de seuil pour lire le bloc respectif est évaluée dans une opération d'échantillonnage effectuée par l'étalonnage de niveau de lecture.
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Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)