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1. (WO2019046197) SEMICONDUCTOR DIE WITH DIFFERENT MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY ARRAYS
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№ de pub.: WO/2019/046197 № do pedido internacional: PCT/US2018/048158
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 27.08.2018
CIP:
H01L 27/22 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
22
incluindo componentes usando efeitos galvanomagnéticos, p. ex., efeito Hall; usando efeitos de campo magnético similar
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
43
Dispositivos usando efeitos galvanomagnéticos ou efeitos magnéticos similares; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou o tratamento desses dispositivos ou de suas partes
08
Resistores controlados por campo magnético
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
43
Dispositivos usando efeitos galvanomagnéticos ou efeitos magnéticos similares; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou o tratamento desses dispositivos ou de suas partes
12
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou o tratamento desses dispositivos ou de suas partes
Requerentes:
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventores:
LI, Xia; US
CHEN, Wei-Chuan; US
HSU, Wah Nam; US
KANG, Seung, Hyuk; US
Mandatário:
TERRANOVA, Steven, N.; US
Dados da prioridade:
15/688,21228.08.2017US
Título (EN) SEMICONDUCTOR DIE WITH DIFFERENT MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY ARRAYS
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE AYANT DES JONCTIONS À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUES DIFFÉRENTES DANS DES RÉSEAUX DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTO-RÉSISTIVE DIFFÉRENTS
Resumo:
(EN) The energy barrier of a magnetic tunnel junction (MTJ) affects its write performance as the amount of current required to switch the magnetic orientation of a free layer of the MTJ is a function of its energy barrier. Thus, by varying the energy barriers of MTJ stacks (204) in different magneto-resistive random access memory (MRAM) arrays (208) in a semiconductor die (200), different MRAM arrays may be used for different types of memory provided in the semiconductor die while still achieving distinct performance specifications. The energy barriers can be varied by varying the materials, heights, widths, and/or other characteristics of the MTJ stacks.
(FR) Dans la présente invention, la barrière énergétique d'une jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) a une incidence sur sa performance d'écriture étant donné que la quantité de courant nécessaire à la commutation de l'orientation magnétique d'une couche libre de la MTJ dépend de sa barrière énergétique. Ainsi, par variation des barrières énergétiques d'empilements MTJ (204) dans des réseaux de mémoire vive magnéto-résistive (MRAM) (208) différents dans une puce semi-conductrice (200), des réseaux de MRAM différents peuvent être utilisés pour des types de mémoire différents compris dans la puce semi-conductrice tout en assurant des spécifications de performance distinctes. On peut faire varier les barrières énergétiques par variation des matériaux, des hauteurs, des largeurs et/ou d'autres caractéristiques des empilements MTJ.
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Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)