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1. (WO2019046050) MEMORY ARRAY RESET READ OPERATION
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2019/046050 № do pedido internacional: PCT/US2018/047359
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 21.08.2018
CIP:
G11C 16/20 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01) ,G06F 12/02 (2006.01)
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
16
Memórias somente para leitura, programáveis e apagáveis (EPROM)
02
programáveis eletricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ex., para escrita dentro da memória
10
Circuitos de programação ou de entrada de dados
20
Inicializar; Pré-ajuste de dados; Identificação do chip
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
16
Memórias somente para leitura, programáveis e apagáveis (EPROM)
02
programáveis eletricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ex., para escrita dentro da memória
26
Circuitos de leitura ou sensibilidade; Circuitos de saída de dados
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
16
Memórias somente para leitura, programáveis e apagáveis (EPROM)
02
programáveis eletricamente
04
usando transistores de limite variável, p. ex., FAMOS
G FÍSICA
06
CÔMPUTO; CÁLCULO; CONTAGEM
F
PROCESSAMENTO ELÉTRICO DE DADOS DIGITAIS
12
Acesso, endereçamento ou alocação dentro dos sistemas ou arquiteturas de memória
02
Endereçamento ou alocação; Reendereçamento
Requerentes:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventores:
BINFET, Jeremy; US
HELM, Mark; US
FILIPIAK, William; US
HAWES, Mark; US
Mandatário:
HARRIS, Philip W.; US
Dados da prioridade:
15/688,64528.08.2017US
Título (EN) MEMORY ARRAY RESET READ OPERATION
(FR) OPÉRATION DE LECTURE DE RÉINITIALISATION DE RÉSEAU DE MÉMOIRE
Resumo:
(EN) Systems, devices, and methods related to reset read are described. A reset read may be employed to initiate a transition of a portion of memory array into a first state or maintain a portion of memory array in a first state, such as a transient state. A reset read may provide a highly-parallelized, energy-efficient option to ensure memory blocks are in the first state. Various modes of reset read may be configured according to different input.
(FR) L'invention concerne des systèmes, des dispositifs et des procédés se rapportant à une lecture de réinitialisation. Une lecture de réinitialisation peut être utilisée pour initier une transition d'une partie du réseau de mémoire dans un premier état ou pour maintenir une partie du réseau de mémoire dans un premier état, tel qu'un état transitoire. Une lecture de réinitialisation peut fournir une option hautement parallélisée et économe en énergie pour garantir que des blocs de mémoire sont dans le premier état. Divers modes de lecture de réinitialisation peuvent être configurés selon différentes entrées.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)