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1. (WO2019046030) THREE DIMENSIONAL MEMORY ARRAYS
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№ de pub.: WO/2019/046030 № do pedido internacional: PCT/US2018/047143
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 21.08.2018
CIP:
H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
02
incluindo componentes semicondutores adaptados à retificação, oscilação, amplificação, comutação e tendo pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície; incluindo elementos de circuito passivo integrado com pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície
04
sendo o substrato um corpo semicondutor
06
incluindo vários componentes individuais em uma configuração não repetitiva
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
25
Montagens, consistindo de vários dispositivos semicondutores individuais ou outros dispositivos de estado sólido
03
todos os dispositivos sendo de um tipo incluído no mesmo subgrupo dos grupos H01L27/-H01L51/128
04
não tendo os dispositivos recipientes separados
065
sendo os dispositivos de um tipo previsto no grupo H01L27/78
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
45
Dispositivos de estado sólido adaptados à retificação, amplificação, oscilação ou comutação sem uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., triodos dielétricos; Dispositivos de efeito Ovshinsky; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento dos mesmos ou de suas partes
Requerentes:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; MAIL STOP 525 8000 SOUTH FEDERAL WAY P.O. BOX 6 BOISE, Idaho 83707-0006, US
Inventores:
PIROVANO, Agostino; IT
REDAELLI, Andrea; IT
PELLIZZER, Fabio; US
TORTORELLI, Innocenzo; IT
Mandatário:
KERN, Jacob T.; US
Dados da prioridade:
15/689,15529.08.2017US
Título (EN) THREE DIMENSIONAL MEMORY ARRAYS
(FR) RÉSEAUX DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS
Resumo:
(EN) In an example, a memory array may include a plurality of first dielectric materials and a plurality of stacks, where each respective first dielectric material and each respective stack alternate, and where each respective stack comprises a first conductive material and a storage material. A second conductive material may pass through the plurality of first dielectric materials and the plurality of stacks. Each respective stack may further include a second dielectric material between the first conductive material and the second conductive material.
(FR) Un exemple de l'invention concerne un réseau de mémoire qui peut comprendre une pluralité de premiers matériaux diélectriques et une pluralité d'empilements, chaque premier matériau diélectrique respectif et chaque empilement respectif étant alternés, et chaque empilement respectif comprenant un premier matériau conducteur et un matériau de stockage. Un deuxième matériau conducteur peut passer à travers la pluralité de premiers matériaux diélectriques et la pluralité d'empilements. Chaque empilement respectif peut en outre comprendre un deuxième matériau diélectrique entre le premier matériau conducteur et le deuxième matériau conducteur.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)