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1. (WO2019045880) WAFERS HAVING III-NITRIDE AND DIAMOND LAYERS
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№ de pub.: WO/2019/045880 № do pedido internacional: PCT/US2018/041172
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 08.07.2018
CIP:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/78 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
77
Manufatura ou tratamento de dispositivos constituídos de uma pluralidade de componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados dentro ou sobre um substrato comum
78
com divisão subsequente do substrato em dispositivos individuais múltiplos
Requerentes:
RFHIC CORPORATION [US/US]; 920 Morrisville Pkwy Morrisville, North Carolina 27560, US
Inventores:
CHO, Sam Yul; US
LEE, Won Sang; US
Mandatário:
PARK, Chung Sik; US
Dados da prioridade:
15/693,33331.08.2017US
Título (EN) WAFERS HAVING III-NITRIDE AND DIAMOND LAYERS
(FR) PLAQUETTES AYANT DES COUCHES DE NITRURE III ET DE DIAMANT
Resumo:
(EN) Wafers (1309) including a diamond layer (1306) and a semiconductor layer (1310) having III-Nitride compounds and methods for fabricating the wafers (1309) are provided. A first SiC layer (1304) is formed on a silicon substrate (1302), and using a carbon containing gas, a surface of the first SiC layer (1304) is carbonized to form carbon particles on the SiC layer. Then, a diamond layer (1306) is grown on the carbonized surface, where the carbon atoms act as seed particles for growing the diamond layer. A second SiC layer (1308) is formed on the diamond layer (1306) and a semiconductor layer (1310) having III-Nitride compounds is formed on the second SiC layer (1308). Then, the silicon substrate (1302) and the first SiC layer (1304) are removed.
(FR) L'invention concerne des plaquettes (1309) comprenant une couche de diamant (1306) et une couche semi-conductrice (1310) ayant des composés de nitrure III, et des procédés de fabrication des plaquettes (1309). Une première couche de SiC (1304) est formée sur un substrat de silicium (1302), et à l'aide d'un gaz contenant du carbone, une surface de la première couche de SiC (1304) est carbonisée pour former des particules de carbone sur la couche de SiC. Ensuite, une couche de diamant (1306) est développée sur la surface carbonisée, où les atomes de carbone agissent en tant que particules de germe pour faire croître la couche de diamant. Une seconde couche de SiC (1308) est formée sur la couche de diamant (1306), et une couche semi-conductrice (1310) ayant des composés de nitrure III est formée sur la seconde couche de SiC (1308). Ensuite, le substrat de silicium (1302) et la première couche de SiC (1304) sont retirés.
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Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)