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1. (WO2019045652) PHOTODETECTOR
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2019/045652 № do pedido internacional: PCT/SG2018/050446
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 04.09.2018
CIP:
H01L 31/0232 (2014.01) ,H01L 31/0304 (2006.01) ,H01L 31/105 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
02
Detalhes
0232
Elementos ou disposições ópticas associadas ao dispositivo
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
0248
caracterizados por seus corpos semicondutores
0256
caracterizados pelo material
0264
Materiais inorgânicos (minerais)
0304
compreendendo, além dos materiais dopados ou outras impurezas, somente compostos AIIIBV
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
08
em que a radiação controla o fluxo de corrente através dos dispositivos, p. ex., fotoresistores
10
caracterizados por pelo menos uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., fototransistores
101
Dispositivos sensíveis à radiação infravermelha, visível ou ultravioleta
102
caracterizados por uma única barreira de potencial ou de superfície
105
sendo a barreira de potencial do tipo PIN
Requerentes:
NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY [SG/SG]; 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SG
THALES SOLUTIONS ASIA PTE LTD [SG/SG]; 21 Changi North Rise, Singapore 498788, SG
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3 rue Michel-Ange, 75794 Paris Cedex 16, FR
Inventores:
ZHANG, Dao Hua; SG
TONG, Jinchao; SG
TOBING, Landobasa Yosef Mario Alexander Lumban; SG
QIU, Shupeng; SG
Mandatário:
ONG, Jean Li, Magdelene; SG
Dados da prioridade:
10201707146W04.09.2017SG
Título (EN) PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODÉTECTEUR
Resumo:
(EN) A photodetector (10) is provided. The photodetector (10) includes a substrate (12), a p-type semiconductor region (14) on the substrate (12), an intrinsic semiconductor region (16) on the p-type semiconductor region (14), an n-type semiconductor region (18) on the intrinsic semiconductor region (16), a surface plasmonic structure (20) on the n-type semiconductor region (18), a cathode (22) electrically connected to the n-type semiconductor region (18), and an anode (24) electrically connected to the p-type semiconductor region (14).
(FR) L'invention concerne un photodétecteur (10). Le photodétecteur (10) comprend un substrat (12), une région semi-conductrice de type p (14) sur le substrat (12), une région semi-conductrice intrinsèque (16) sur la région semi-conductrice de type p (14), une région semi-conductrice de type n (18) sur la région semi-conductrice intrinsèque (16), une structure plasmonique de surface (20) sur la région semi-conductrice de type n (18), une cathode (22) connectée électriquement à la région semi-conductrice de type n (18), et une anode (24) connectée électriquement à la région semi-conductrice de type p (14).
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Inglês (EN)
Língua de depósito: Inglês (EN)