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1. (WO2019045277) LIGHT EMITTING DEVICE FOR PIXEL AND LED DISPLAY DEVICE
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№ de pub.: WO/2019/045277 № do pedido internacional: PCT/KR2018/008332
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 24.07.2018
CIP:
H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 33/36 (2010.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
25
Montagens, consistindo de vários dispositivos semicondutores individuais ou outros dispositivos de estado sólido
03
todos os dispositivos sendo de um tipo incluído no mesmo subgrupo dos grupos H01L27/-H01L51/128
04
não tendo os dispositivos recipientes separados
075
sendo os dispositivos de um tipo previsto no grupo H01L33/78
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
36
caracterizado pelos eletrodos
38
com uma forma particular
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
15
incluindo componentes semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície adaptados à emissão de luz
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
48
caracterizado pelos encapsulamentos do corpo semicondutor
62
Dispositivos para condução de corrente elétrica para ou do corpo semicondutor, p. ex., condutor, fio de ligação ou bolas de solda
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
36
caracterizado pelos eletrodos
Requerentes:
주식회사 루멘스 LUMENS CO.,LTD. [KR/KR]; 경기도 용인시 기흥구 원고매로 12 12, Wongomae-ro, Giheung-gu Yongin-si Gyeonggi-do 17086, KR
Inventores:
오승현 OH, Seunghyun; KR
유태경 YOO, Taekyung; KR
조성식 JO, Sungsik; KR
김민표 KIM, Minpyo; KR
신지유 SHIN, Jiyu; KR
김대원 KIM, Daewon; KR
Mandatário:
유창열 RYU, Changyeol; KR
Dados da prioridade:
10-2017-010841028.08.2017KR
10-2018-000599717.01.2018KR
10-2018-001408905.02.2018KR
10-2018-003457026.03.2018KR
10-2018-005669117.05.2018KR
Título (EN) LIGHT EMITTING DEVICE FOR PIXEL AND LED DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT POUR DISPOSITIF D'AFFICHAGE DE PIXELS À DEL
(KO) 픽셀용 발광소자 및 엘이디 디스플레이 장치
Resumo:
(EN) A light emitting device is disclosed. The light emitting device comprises a mount substrate on which a first electrode pad, a second electrode pad, a third electrode pad, and a fourth electrode pad are formed; a first vertical LED chip which is mounted on the mount substrate such that a lower portion thereof is connected to the first electrode pad; a second vertical LED chip which is mounted on the mount substrate such that a lower portion thereof is connected to the second electrode pad; a third vertical LED chip which is mounted on the mount substrate such that a lower portion thereof is connected to the third electrode pad; a conductive light transmitting plate which is electrically connected to the upper portion of the first vertical LED chip, the second vertical LED chip, and the third vertical LED chip; and a conductor which connects the conductive light transmitting plate and the fourth electrode pad, wherein individual driving power is applied to the first vertical LED chip, the second vertical LED chip, and the third vertical LED chip, respectively, through the first electrode pad, the second electrode pad, and the third electrode pad, respectively, or through the fourth electrode pad.
(FR) La présente invention concerne un dispositif électroluminescent. Le dispositif électroluminescent comprend un substrat de montage sur lequel sont formés un premier plot d'électrode, un deuxième plot d'électrode, un troisième plot d'électrode et un quatrième plot d'électrode; une première puce de DEL verticale qui est montée sur le substrat de montage de telle sorte que sa partie inférieure est connectée au premier plot d'électrode; une deuxième puce de DEL verticale qui est montée sur le substrat de montage de telle sorte que sa partie inférieure est connectée au deuxième plot d'électrode; une troisième puce de DEL verticale qui est montée sur le substrat de montage de telle sorte que sa partie inférieure est connectée au troisième plot d'électrode; une plaque de transmission de lumière conductrice qui est connectée électriquement à la partie supérieure de la première puce de DEL verticale, de la deuxième puce de DEL verticale et de la troisième puce de DEL verticale; et un conducteur qui connecte la plaque de transmission de lumière conductrice et le quatrième plot d'électrode, une puissance d'excitation individuelle étant appliquée à la première puce de DEL verticale, à la deuxième puce de DEL verticale et à la troisième puce de DEL verticale, respectivement, à travers le premier plot d'électrode, le deuxième plot d'électrode et le troisième plot d'électrode, respectivement, ou à travers le quatrième plot d'électrode.
(KO) 발광소자가 개시된다. 상기 발광소자는 제1 전극패드, 제2 전극패드, 제3 전극패드 및 제4 전극패드가 형성된 마운트 기판; 하부가 상기 제1 전극패드와 연결되도록 상기 마운트 기판에 실장되는 제1 버티컬 엘이디 칩; 하부가 상기 제2 전극패드와 연결되도록 상기 마운트 기판에 실장되는 제2 버티컬 엘이디 칩; 하부가 상기 제3 전극패드와 연결되도록 상기 마운트 기판에 실장되는 제3 버티컬 엘이디 칩; 상기 제1 버티컬 엘이디 칩, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩의 상부와 전기적으로 연결되는 도전성 광 투과판; 및 상기 도전성 광 투과판과 상기 제4 전극패드를 연결하는 전도체를 포함하며, 상기 제 1 전극패드, 상기 제 2 전극패드 및 상기 제 3 전극패드 각각을 통해 또는 상기 제4 전극패드를 통해, 상기 제1 버티컬 엘이디 칩, 상기 제2 버티컬 엘이디 칩 및 상기 제3 버티컬 엘이디 칩 각각으로 개별 구동 전원이 인가된다.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: coreano (KO)
Língua de depósito: coreano (KO)