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1. (WO2019044896) TRANSPARENT CONDUCTOR AND ORGANIC DEVICE
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№ de pub.: WO/2019/044896 № do pedido internacional: PCT/JP2018/031925
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 29.08.2018
CIP:
H01B 5/14 (2006.01) ,B32B 9/00 (2006.01) ,B32B 15/04 (2006.01) ,C23C 14/06 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/28 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
B
CABOS; CONDUTORES; ISOLADORES; USO DE MATERIAIS ESPECÍFICOS DEVIDO AS SUAS PROPRIEDADES CONDUTORAS, ISOLANTES OU DIELÉTRICAS
5
Condutores ou corpos condutores não isolados caracterizados por sua forma
14
compreendendo camadas ou películas condutoras em suportes isolantes
B OPERAÇÕES DE PROCESSAMENTO; TRANSPORTE
32
PRODUTOS EM CAMADAS
B
PRODUTOS EM CAMADAS, i.e., PRODUTOS ESTRUTURADOS COM CAMADAS DE FORMA PLANA OU NÃO PLANA, p. ex., EM FORMA CELULAR OU ALVEOLAR
9
Produtos em camadas que compreendam essencialmente uma substância em particular, não abrangida pelos gruposB32B11/-B32B29/158
B OPERAÇÕES DE PROCESSAMENTO; TRANSPORTE
32
PRODUTOS EM CAMADAS
B
PRODUTOS EM CAMADAS, i.e., PRODUTOS ESTRUTURADOS COM CAMADAS DE FORMA PLANA OU NÃO PLANA, p. ex., EM FORMA CELULAR OU ALVEOLAR
15
Produtos em camadas que contenham essencialmente metal
04
compreendendo metal como o componente principal ou único de uma camada junto a outra camada de uma substância específica
C QUÍMICA; METALURGIA
23
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO QUÍMICO DE SUPERFÍCIES; TRATAMENTO DE DIFUSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE ÍONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL; INIBIÇÃO DA CORROSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS OU INCRUSTAÇÃO EM GERAL
C
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO DA SUPERFÍCIE DE MATERIAIS METÁLICOS POR DIFUSÃO, POR CONVERSÃO QUÍMICA OU SUBSTITUIÇÃO; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE IONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL
14
Revestimento por evaporação a vácuo, por pulverização catódica ou por implantação de ions do material
06
caracterizado pelo material de revestimento
C QUÍMICA; METALURGIA
23
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO QUÍMICO DE SUPERFÍCIES; TRATAMENTO DE DIFUSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE ÍONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL; INIBIÇÃO DA CORROSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS OU INCRUSTAÇÃO EM GERAL
C
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO DA SUPERFÍCIE DE MATERIAIS METÁLICOS POR DIFUSÃO, POR CONVERSÃO QUÍMICA OU SUBSTITUIÇÃO; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE IONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL
14
Revestimento por evaporação a vácuo, por pulverização catódica ou por implantação de ions do material
06
caracterizado pelo material de revestimento
08
Óxidos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
51
Dispositivos de estado sólido usando materiais orgânicos como parte ativa ou usando uma combinação de materiais orgânicos com outros materiais como parte ativa; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento de tais dispositivos, ou de suas partes integrantes
50
especialmente adaptados para emissão de luz, p. ex.,diodos orgânicos emissores de luz (OLED) ou dispositivo poliméricos emissores de luz (PLED)
H ELECTRICIDADE
05
TÉCNICAS ELÉTRICAS NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL
B
AQUECIMENTO ELÉTRICO; ILUMINAÇÃO ELÉTRICA NÃO INCLUÍDA EM OUTRO LOCAL
33
Fontes de luz eletroluminescente
12
Fontes de luz com superfícies de radiação essencialmente bidimensionais
26
caracterizadas pela composição ou disposição do material condutor utilizado como um eletrodo
28
de eletrodos translúcidos
Requerentes:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
Inventores:
新開 浩 SHINGAI Hiroshi; JP
西沢 明憲 NISHIZAWA Akinori; JP
原田 ▲祥▼平 HARADA Shouhei; JP
Mandatário:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
三上 敬史 MIKAMI Takafumi; JP
Dados da prioridade:
2017-16461329.08.2017JP
2017-16461529.08.2017JP
Título (EN) TRANSPARENT CONDUCTOR AND ORGANIC DEVICE
(FR) CONDUCTEUR TRANSPARENT ET DISPOSITIF ORGANIQUE
(JA) 透明導電体及び有機デバイス
Resumo:
(EN) Provided is a transparent conductor 10 comprising a transparent substrate 11, a first metal oxide layer 12, a metal layer 18 including a silver alloy, a third metal oxide layer 14, and a second metal oxide layer 16 in this order. The first metal oxide layer 12 is constituted by a metal oxide other than ITO, the second metal oxide layer 16 includes ITO, and the work function of a surface 16a of the second metal oxide layer 16 on the opposite side to the metal layer 18 side is 4.5 eV or higher.
(FR) L'invention concerne un conducteur transparent 10 comprenant un substrat transparent 11, une première couche d'oxyde métallique 12, une couche métallique 18 comprenant un alliage d'argent, une troisième couche d'oxyde métallique 14 et une seconde couche d'oxyde métallique 16 dans cet ordre. La première couche d'oxyde métallique 12 est constituée d'un oxyde métallique autre que l'ITO, la seconde couche d'oxyde métallique 16 comprend de l'ITO, et la fonction de travail d'une surface 16a de la seconde couche d'oxyde métallique 16 sur le côté opposé au côté de la couche métallique 18 est supérieure ou égale à 4,5 eV.
(JA) 透明導電体10は、透明基材11と、第1の金属酸化物層12と、銀合金を含む金属層18と、第3の金属酸化物層14と、第2の金属酸化物層16と、をこの順で備える。第1の金属酸化物層12は、ITOとは異なる金属酸化物で構成され、第2の金属酸化物層16は、ITOを含有し、第2の金属酸化物層16の金属層18側とは反対側の表面16aの仕事関数が4.5eV以上である。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)