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1. (WO2019044668) ACTIVE LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTIVE LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN FILM, PATTERN-FORMING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE PRODUCTION METHOD
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№ de pub.: WO/2019/044668 № do pedido internacional: PCT/JP2018/031231
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 23.08.2018
CIP:
G03F 7/038 (2006.01) ,C08F 220/12 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G FÍSICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TÉCNICAS SEMELHANTES UTILIZANDO ONDAS OUTRAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ELETROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUÇÃO FOTOMECÂNICA DE SUPERFÍCIES TEXTURIZADAS OU ESTAMPADAS, p. ex., PARA IMPRESSÃO, PARA PROCESSAMENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; MATERIAIS PARA AS MESMAS; ORIGINAIS PARA AS MESMAS; APARELHOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA ESSE FIM
7
Produção fotomecânica, p. ex., fotolitografia, produção de superfícies texturizadas ou estampadas, p. ex., superfícies para impressão; Materiais para esse fim, p. ex., compreendendo fotoresistes; Aparelhos especialmente adaptados para esse fim
004
Materiais fotossensíveis
038
Compostos macromoleculares que se tornam insolúveis ou seletivamente molháveis
C QUÍMICA; METALURGIA
08
COMPOSTOS MACROMOLECULARES ORGÂNICOS; SUA PREPARAÇÂO OU SEU PROCESSAMENTO QUÍMICO; COMPOSIÇÕES BASEADAS NOS MESMOS
F
COMPOSTOS MACROMOLECULARES OBTIDOS POR REAÇÕES COMPREENDENDO APENAS LIGAÇÕES INSATURADAS CARBONO-CARBONO
220
Copolímeros de compostos tendo um ou mais radicais alifáticos insaturados, tendo cada qual apenas uma ligação dupla carbono-carbono, e sendo apenas um terminado por um único radical carboxila ou um sal, anidrido, éster, amida, imida ou nitrila do mesmo
02
Ácidos monocarboxílicos tendo menos de dez átomos de carbono; Seus derivados
10
Ésteres
12
de álcoois ou fenóis monoídricos
G FÍSICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TÉCNICAS SEMELHANTES UTILIZANDO ONDAS OUTRAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ELETROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUÇÃO FOTOMECÂNICA DE SUPERFÍCIES TEXTURIZADAS OU ESTAMPADAS, p. ex., PARA IMPRESSÃO, PARA PROCESSAMENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; MATERIAIS PARA AS MESMAS; ORIGINAIS PARA AS MESMAS; APARELHOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA ESSE FIM
7
Produção fotomecânica, p. ex., fotolitografia, produção de superfícies texturizadas ou estampadas, p. ex., superfícies para impressão; Materiais para esse fim, p. ex., compreendendo fotoresistes; Aparelhos especialmente adaptados para esse fim
004
Materiais fotossensíveis
039
Compostos macromoleculares que são fotodegradáveis p. ex., resistentes positivos sensíveis aos elétrons
G FÍSICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TÉCNICAS SEMELHANTES UTILIZANDO ONDAS OUTRAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ELETROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUÇÃO FOTOMECÂNICA DE SUPERFÍCIES TEXTURIZADAS OU ESTAMPADAS, p. ex., PARA IMPRESSÃO, PARA PROCESSAMENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; MATERIAIS PARA AS MESMAS; ORIGINAIS PARA AS MESMAS; APARELHOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA ESSE FIM
7
Produção fotomecânica, p. ex., fotolitografia, produção de superfícies texturizadas ou estampadas, p. ex., superfícies para impressão; Materiais para esse fim, p. ex., compreendendo fotoresistes; Aparelhos especialmente adaptados para esse fim
20
Exposição; aparelhos para esse fim
Requerentes:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventores:
高桑 英希 TAKAKUWA Hideki; JP
吉野 文博 YOSHINO Fumihiro; JP
Mandatário:
特許業務法人航栄特許事務所 KOH-EI PATENT FIRM, P.C.; 東京都港区西新橋一丁目7番13号 虎ノ門イーストビルディング9階 Toranomon East Bldg. 9F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
Dados da prioridade:
2017-16785131.08.2017JP
Título (EN) ACTIVE LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTIVE LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN FILM, PATTERN-FORMING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AUX RAYONS ACTINIQUES OU À UN RAYONNEMENT, FILM DE RÉSINE SENSIBLE AUX RAYONS ACTINIQUES OU À UN RAYONNEMENT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性樹脂膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
Resumo:
(EN) Provided is an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprising: (A) a resin containing a repeating unit expressed by a specific general formula, a repeating unit expressed by a specific general formula, and a repeating unit expressed by a specific general formula, the content amount of the repeating unit expressed by general formula (1) being a range of 25-50 mol% with respect to all of the repeating units in the resin (A); (B) a compound that produces an acid through irradiation with an active light ray or radiation; and (C) a solvent. Also provided are: an active light-sensitive or radiation-sensitive resin film that uses the active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition; a pattern-forming method; and a method for producing an electronic device.
(FR) L'invention fournit une composition de résine sensible aux rayons actiniques ou à un rayonnement qui comprend : (A) une résine qui comprend à son tour une unité de répétition représentée par une formule générale spécifique, une unité de répétition représentée par une formule générale spécifique et une unité de répétition représentée par une formule générale spécifique, la teneur en unité de répétition représentée par la formule générale (1) étant comprise dans une plage de 25 à 50% en moles pour l'ensemble des unités de répétition contenues dans la résine (A) ; (B) un composé générant un acide par irradiation au moyen de rayons actiniques ou d'un rayonnement ; et (C) un solvant. L'invention fournit en outre un film de résine sensible aux rayons actiniques ou à un rayonnement, un procédé de formation de motif et un procédé de fabrication de dispositif électronique qui mettent en œuvre cette composition de résine sensible aux rayons actiniques ou à un rayonnement.
(JA) (A)特定の一般式で表される繰り返し単位、特定の一般式で表される繰り返し単位、及び特定の一般式で表される繰り返し単位を含有し、上記一般式(1)で表される繰り返し単位の含有量が、樹脂(A)中の全繰り返し単位に対して25~50モル%の範囲である樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いた感活性光線性又は感放射線性樹脂膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法を提供する。
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)