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1. (WO2019044548) SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD
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№ de pub.: WO/2019/044548 № do pedido internacional: PCT/JP2018/030547
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 17.08.2018
CIP:
H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
302
para mudar as características físicas ou a forma de sua superfície, p. ex., gravação, polimento, recorte
304
Tratamento mecânico, p. ex., esmerilhamento, polimento, recorte
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
302
para mudar as características físicas ou a forma de sua superfície, p. ex., gravação, polimento, recorte
306
Tratamento químico ou elétrico, p. ex., cauterização eletrolítica
Requerentes:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
Inventores:
飯野 正 IINO, Tadashi; JP
甲斐 義広 KAI, Yoshihiro; JP
徳永 容一 TOKUNAGA, Yoichi; JP
緒方 信博 OGATA, Nobuhiro; JP
東島 治郎 HIGASHIJIMA, Jiro; JP
Mandatário:
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都千代田区霞が関3丁目8番1号 虎の門三井ビルディング Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
Dados da prioridade:
2017-16458429.08.2017JP
Título (EN) SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
Resumo:
(EN) The substrate treatment apparatus according to one embodiment of the present invention is provided with a treatment unit (16), a control unit (18), and a measurement unit (102). The treatment unit comprises: a holding part (31) which holds and rotates a substrate; a nozzle (41) from which treatment liquid is discharged; and a conductive piping part (44) through which the treatment liquid is supplied to the nozzle. The control unit causes the treatment unit to carry out a liquid treatment for treating the substrate by supplying the treatment liquid from the nozzle to the substrate that is being rotated and held by the holding part. The measurement unit measures a streaming current generated as the treatment liquid flows through the piping part. Further, the control unit monitors the liquid treatment on the basis of the measurement result provided by the measurement unit.
(FR) Selon le mode de réalisation de la présente invention, l'appareil de traitement de substrat est pourvu d'une unité de traitement (16), d'une unité de commande (18) et d'une unité de mesure (102). L'unité de traitement comprend : une partie de maintien (31) qui maintient et fait tourner un substrat; une buse (41) à partir de laquelle le liquide de traitement est évacué; et une partie de tuyauterie conductrice (44) à travers laquelle le liquide de traitement est fourni à la buse. L'unité de commande amène l'unité de traitement à effectuer un traitement liquide pour traiter le substrat en apportant le liquide de traitement depuis la buse vers le substrat qui est en rotation et maintenu par la partie de maintien. L'unité de mesure mesure un courant de diffusion en continu généré lorsque le liquide de traitement s'écoule à travers la partie de tuyauterie. En outre, l'unité de commande surveille le traitement de liquide sur la base du résultat de mesure fourni par l'unité de mesure.
(JA) 実施形態に係る基板処理装置は、処理ユニット(16)と、制御部(18)と、測定部(102)とを備える。処理ユニットは、基板を保持して回転させる保持部(31)、処理液を吐出するノズル(41)およびノズルに処理液を供給する導電性の配管部(44)を含む。制御部は、保持部に保持されて回転する基板に対し、ノズルから処理液を供給することによって基板を処理する液処理を処理ユニットに対して実行させる。測定部は、配管部を処理液が流れることによって生じる流動電流を測定する。また、制御部は、測定部による測定結果に基づいて液処理を監視する。
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Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)