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1. (WO2019044538) MULTILAYER LENS STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
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№ de pub.: WO/2019/044538 № do pedido internacional: PCT/JP2018/030492
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 17.08.2018
CIP:
G02B 7/02 (2006.01) ,B29D 11/00 (2006.01) ,G02B 3/00 (2006.01) ,G02B 7/04 (2006.01) ,G02B 7/34 (2006.01) ,G02B 7/36 (2006.01) ,G03B 15/00 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/0232 (2014.01) ,H01L 31/10 (2006.01)
G FÍSICA
02
ÓPTICA
B
ELEMENTOS, SISTEMAS OU APARELHOS ÓPTICOS
7
Montagens, meios de ajustagem ou ligações impenetráveis à luz, para elementos ópticos
02
para lentes
B OPERAÇÕES DE PROCESSAMENTO; TRANSPORTE
29
PROCESSAMENTO DE MATÉRIAS PLÁSTICAS; PROCESSAMENTO DE SUBSTÂNCIAS EM ESTADO PLÁSTICO EM GERAL
D
PRODUÇÃO DE OBJETOS ESPECIAIS DE MATÉRIAS PLÁSTICAS OU DE SUBSTÂNCIAS EM ESTADO PLÁSTICO
11
Produção de elementos de óptica, p. ex., lentes ou prismas
G FÍSICA
02
ÓPTICA
B
ELEMENTOS, SISTEMAS OU APARELHOS ÓPTICOS
3
Lentes simples ou compostas
G FÍSICA
02
ÓPTICA
B
ELEMENTOS, SISTEMAS OU APARELHOS ÓPTICOS
7
Montagens, meios de ajustagem ou ligações impenetráveis à luz, para elementos ópticos
02
para lentes
04
com mecanismos para focalização ou variação da ampliação
G FÍSICA
02
ÓPTICA
B
ELEMENTOS, SISTEMAS OU APARELHOS ÓPTICOS
7
Montagens, meios de ajustagem ou ligações impenetráveis à luz, para elementos ópticos
28
Sistemas para a geração automática de sinais de focalização
34
usando zonas diferentes em um plano pupilar
G FÍSICA
02
ÓPTICA
B
ELEMENTOS, SISTEMAS OU APARELHOS ÓPTICOS
7
Montagens, meios de ajustagem ou ligações impenetráveis à luz, para elementos ópticos
28
Sistemas para a geração automática de sinais de focalização
36
usando técnicas de nitidez da imagem
G FÍSICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TÉCNICAS SEMELHANTES UTILIZANDO ONDAS OUTRAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ELETROGRAFIA; HOLOGRAFIA
B
APARELHOS OU DISPOSIÇÕES PARA TIRAR FOTOGRAFIAS OU PARA PROJETÁ-LAS OU VISUALIZÁ-LAS; APARELHOS OU DISPOSIÇÕES QUE UTILIZAM TÉCNICAS SEMELHANTES POR MEIO DE OUTRAS ONDAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ACESSÓRIOS PARA OS MESMOS
15
Métodos especiais de tirar fotografias; Aparelhos para esse fim
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
14
incluindo componentes semicondutores sensíveis às radiações infravermelhas, à luz, à radiação eletromagnética de comprimentos de onda mais curtos ou à radiação corpuscular e adaptado, tanto para a conversão da energia destas radiações em energia elétrica, como para o controle de energia elétrica por tais radiações
144
Dispositivos controlados por radiação
146
Estruturas de captadores de imagens
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
02
Detalhes
0232
Elementos ou disposições ópticas associadas ao dispositivo
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
08
em que a radiação controla o fluxo de corrente através dos dispositivos, p. ex., fotoresistores
10
caracterizados por pelo menos uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., fototransistores
Requerentes:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventores:
吉岡 浩孝 YOSHIOKA Hirotaka; JP
Mandatário:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Dados da prioridade:
2017-16782731.08.2017JP
Título (EN) MULTILAYER LENS STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE LENTILLE MULTICOUCHE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 積層レンズ構造体およびその製造方法、並びに、電子機器
Resumo:
(EN) The present technique relates to: a multilayer lens structure which is capable of tolerating variation in the amount of dripped energy curable resin that serves as a lens material; a method for producing this multilayer lens structure; and an electronic device. A multilayer lens structure according to the present invention comprises at least one first substrate with a lens and at least one second substrate with a lens, each of said substrate with a lens comprising a lens resin part that forms a lens and a carrier substrate that supports the lens resin part. The carrier substrate of the first substrate with a lens is configured by laminating a plurality of carrier constituent substrates in the thickness direction; and the carrier substrate of the second substrate with a lens is configured from a single carrier constituent substrate. The first substrate with a lens is provided with a groove in the lateral wall of a through hole that is formed in the carrier substrate. The present technique is applicable, for example, to a camera module and the like.
(FR) La présente technique concerne : une structure de lentille multicouche qui est capable de tolérer une variation de la quantité de résine durcissable par apport d'énergie goutte à goutte qui sert de matériau de lentille ; un procédé de production de cette structure de lentille multicouche ; et un dispositif électronique. Une structure de lentille multicouche selon la présente invention comprend au moins un premier substrat avec une lentille et au moins un second substrat avec une lentille, chacun desdits substrats avec une lentille comprenant une partie de résine de lentille qui forme une lentille et un substrat de support qui supporte la partie de résine de lentille. Le substrat de support du premier substrat avec une lentille est configuré par stratification d'une pluralité de substrats constitutifs de support dans la direction de l'épaisseur ; et le substrat de support du second substrat avec une lentille est configuré à partir d'un substrat unique constitutif de support. Le premier substrat avec une lentille est pourvu d'une rainure dans la paroi latérale d'un trou traversant qui est formé dans le substrat de support. La présente technique est applicable, par exemple, à des modules de caméra et analogue.
(JA) 本技術は、レンズ材料であるエネルギー硬化性樹脂の滴下量のばらつきを許容することができるようにする積層レンズ構造体およびその製造方法、並びに、電子機器に関する。 積層レンズ構造体は、レンズを形成するレンズ樹脂部と、レンズ樹脂部を担持する担体基板とを含むレンズ付き基板として、第1のレンズ付き基板と第2のレンズ付き基板のそれぞれを少なくとも1枚以上含む。第1のレンズ付き基板の担体基板は、複数枚の担体構成基板を厚さ方向に積層して構成され、第2のレンズ付き基板の担体基板は、1枚の担体構成基板で構成される。第1のレンズ付き基板は、担体基板に形成された貫通孔の側壁に、溝部を備える。本技術は、例えば、カメラモジュール等に適用できる。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)