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1. (WO2019044530) THINNED PLATE MEMBER PRODUCTION METHOD AND PRODUCTION DEVICE
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№ de pub.: WO/2019/044530 № do pedido internacional: PCT/JP2018/030458
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 17.08.2018
CIP:
H01L 21/304 (2006.01) ,B23K 26/53 (2014.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
302
para mudar as características físicas ou a forma de sua superfície, p. ex., gravação, polimento, recorte
304
Tratamento mecânico, p. ex., esmerilhamento, polimento, recorte
[IPC code unknown for B23K 26/53]
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
67
Aparelhos especialmente adaptados para manipulação de dispositivos semicondutores ou de dispositivos elétricos de estado sólido durante a fabricação ou tratamento dos mesmos; Aparelhos especialmente adaptados para manipulação de pastilhas ("wafers") durante a fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou dispositivos elétricos de estado sólido ou componentes
683
para sustentação ou aderência
Requerentes:
リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都板橋区本町23番23号 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001, JP
Inventores:
泉 直史 IZUMI Naofumi; JP
山下 茂之 YAMASHITA Shigeyuki; JP
Mandatário:
特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES; 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 3階 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
Dados da prioridade:
2017-16977604.09.2017JP
Título (EN) THINNED PLATE MEMBER PRODUCTION METHOD AND PRODUCTION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET DISPOSITIF DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT DE PLAQUE AMINCIE
(JA) 薄型化板状部材の製造方法、及び製造装置
Resumo:
(EN) This thinned plate member production method comprises: a step for attaching a first adhesion surface (AT11) of a first double-sided adhesive sheet (AT1) to a support surface (111) of a first hard support body (110), and attaching a second adhesion surface (AT12) to the entire first surface (WF1) of a plate member (WF); a step for forming a boundary layer (CR) inside the plate member (WF); a step for attachably/detachably fixing a first holding means (130) and the first hard support body (110) so as to locate the first holding means (130) on the opposite side of the plate member (WF) with the first hard support body (110) interposed therebetween; a step for holding the plate member (WF) from a second surface (WF2) side by means of a second holding means (160); and a step of relatively moving the first holding means (130) and the second holding means (160) so as to divide, at the boundary layer (CR) as a boundary, the plate member (WF) into a first thinned plate member having the first surface (WF1) and a second thinned plate member having the second surface (WF2).
(FR) Cette invention concerne un procédé de production d'élément de plaque amincie, comprenant : une étape consistant à fixer une première surface d'adhérence (AT11) d'une première feuille adhésive double face (AT1) à une surface de support (111) d'un premier corps de support dur (110), et à fixer une seconde surface d'adhérence (AT12) à la totalité de la première surface (WF1) d'un élément de plaque (WF) ; une étape consistant à former une couche limite (CR) à l'intérieur de l'élément de plaque (WF) ; une étape consistant à fixer de manière fixe/amovible de premiers moyens de retenue (130) et le premier corps de support dur (110) de façon à positionner les premiers moyens de retenue (130) sur le côté opposé de l'élément de plaque (WF) avec le premier corps de support dur (110) interposé entre ceux-ci ; une consistant à retenir l'élément de plaque (WF) à partir d'un côté de seconde surface (WF2) au moyen de seconds moyens de retenue (160) ; et une étape consistant à déplacer relativement les premiers moyens de retenue (130) et les seconds moyens de retenue (160) de façon à séparer, au niveau de la couche limite (CR) en tant que limite, l'élément de plaque (WF) en un premier élément de plaque amincie ayant la première surface (WF1) et un second élément de plaque amincie ayant la seconde surface (WF2).
(JA) 薄型化板状部材の製造方法は、第1硬質支持体(110)の支持面(111)に第1両面接着シート(AT1)の第1接着面(AT11)を貼付し、板状部材(WF)の第1表面(WF1)全体に第2接着面(AT12)を貼付する工程と、前記板状部材(WF)の内部に境界層(CR)を形成する工程と、第1硬質支持体(110)を挟んで前記板状部材(WF)の反対側に第1保持手段(130)が位置するように、前記第1保持手段(130)と第1硬質支持体(110)とを着脱自在に固定する工程と、第2保持手段(160)で前記板状部材(WF)を第2表面(WF2)側から保持する工程と、前記境界層(CR)を境にして、前記板状部材(WF)を、第1表面(WF1)を有する第1薄型化板状部材、及び第2表面(WF2)を有する第2薄型化板状部材に分割するように、前記第1保持手段(130)と前記第2保持手段(160)とを相対移動させる工程とを備えている。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)