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1. (WO2019044464) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING SOLID-STATE IMAGING DEVICE
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№ de pub.: WO/2019/044464 № do pedido internacional: PCT/JP2018/030106
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 10.08.2018
CIP:
H04N 5/359 (2011.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ELECTRICIDADE
04
TÉCNICA DE COMUNICAÇÃO ELÉTRICA
N
COMUNICAÇÃO DE IMAGENS, p. ex., TELEVISÃO
5
Detalhes de sistemas de televisão
30
Transformando a luz ou informação análoga em informação elétrica
335
usando sensores de imagem de estado sólido [SSIS]
357
Processamento de ruído, p. ex. detecção, correção, redução ou remoção de ruído
359
aplicado às cargas em excesso produzidas pela exposição, p. ex. "smear", "blooming", imagem fantasma, "crosstalk" ou vazamento entre pixels
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
14
incluindo componentes semicondutores sensíveis às radiações infravermelhas, à luz, à radiação eletromagnética de comprimentos de onda mais curtos ou à radiação corpuscular e adaptado, tanto para a conversão da energia destas radiações em energia elétrica, como para o controle de energia elétrica por tais radiações
144
Dispositivos controlados por radiação
146
Estruturas de captadores de imagens
H ELECTRICIDADE
04
TÉCNICA DE COMUNICAÇÃO ELÉTRICA
N
COMUNICAÇÃO DE IMAGENS, p. ex., TELEVISÃO
5
Detalhes de sistemas de televisão
30
Transformando a luz ou informação análoga em informação elétrica
335
usando sensores de imagem de estado sólido [SSIS]
369
Arquitetura SSIS; Circuitos associados
Requerentes:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventores:
渡部 泰一郎 WATANABE, Taiichiro; JP
山口 哲司 YAMAGUCHI, Tetsuji; JP
佐藤 友亮 SATO, Yusuke; JP
古閑 史彦 KOGA, Fumihiko; JP
Mandatário:
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Dados da prioridade:
2017-16785231.08.2017JP
Título (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UN DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置および固体撮像装置の制御方法
Resumo:
(EN) [Solution] A solid-state imaging device according to an embodiment of the present disclosure is provided with: a first electrode comprising a plurality of independent electrodes; a second electrode arranged opposite to the first electrode; a photoelectric conversion layer provided between the first electrode and the second electrode; and a voltage applying unit for applying different voltages to at least one of the first electrode and the second electrode during a charge storage period and during a non-charge storage period.
(FR) À cet effet, selon un mode de réalisation la présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui comprend : une première électrode comprenant une pluralité d'électrodes indépendantes ; une seconde électrode agencée à l'opposé de la première électrode ; une couche de conversion photoélectrique disposée entre la première électrode et la seconde électrode ; et une unité d'application de tension pour appliquer différentes tensions à au moins une parmi la première électrode et la seconde électrode pendant une période de stockage de charge et pendant une période de stockage de non-charge.
(JA) 【解決手段】本開示の一実施形態の固体撮像装置は、互いに独立する複数の電極からなる第1電極と、第1電極と対向配置された第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換層と、第1電極および第2電極の少なくとも一方に対して、電荷蓄積期間および非電荷蓄積期間において、互いに異なる電圧を印加する電圧印加部とを備える。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)