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1. (WO2019044209) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
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№ de pub.: WO/2019/044209 № do pedido internacional: PCT/JP2018/026529
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 13.07.2018
CIP:
H01L 21/329 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01) ,H01L 29/87 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
328
Processos de várias etapas para fabricação de dispositivos do tipo bipolar, p. ex., diodos, transistores, tiristores
329
os dispositivos tendo um ou dois eletrodos, p. ex., diodos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
77
Manufatura ou tratamento de dispositivos constituídos de uma pluralidade de componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados dentro ou sobre um substrato comum
78
com divisão subsequente do substrato em dispositivos individuais múltiplos
82
para produzir dispositivos, p. ex.,circuitos integrados, cada um consistindo de uma pluralidade de componentes
822
sendo o substrato um semicondutor usando tecnologia de silício
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
02
incluindo componentes semicondutores adaptados à retificação, oscilação, amplificação, comutação e tendo pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície; incluindo elementos de circuito passivo integrado com pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície
04
sendo o substrato um corpo semicondutor
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
02
incluindo componentes semicondutores adaptados à retificação, oscilação, amplificação, comutação e tendo pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície; incluindo elementos de circuito passivo integrado com pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície
04
sendo o substrato um corpo semicondutor
06
incluindo vários componentes individuais em uma configuração não repetitiva
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
14
incluindo componentes semicondutores sensíveis às radiações infravermelhas, à luz, à radiação eletromagnética de comprimentos de onda mais curtos ou à radiação corpuscular e adaptado, tanto para a conversão da energia destas radiações em energia elétrica, como para o controle de energia elétrica por tais radiações
144
Dispositivos controlados por radiação
146
Estruturas de captadores de imagens
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
86
não controláveis; controláveis unicamente pela variação da corrente elétrica fornecida ou do potencial elétrico aplicado a um ou mais dos eletrodos condutores da corrente a ser retificada, oscilada ou comutada
861
Diodos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
86
não controláveis; controláveis unicamente pela variação da corrente elétrica fornecida ou do potencial elétrico aplicado a um ou mais dos eletrodos condutores da corrente a ser retificada, oscilada ou comutada
861
Diodos
868
Diodos PIN
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
86
não controláveis; controláveis unicamente pela variação da corrente elétrica fornecida ou do potencial elétrico aplicado a um ou mais dos eletrodos condutores da corrente a ser retificada, oscilada ou comutada
861
Diodos
87
Diodos tiristores, p. ex., diodos Schokley, diodos de ruptura ou “breakover”
Requerentes:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventores:
岡野 仁志 OKANO, Hitoshi; JP
Mandatário:
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
Dados da prioridade:
2017-16561930.08.2017JP
Título (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置及び電子機器
Resumo:
(EN) [Problem] To provide a semiconductor device which is capable of withstanding a higher voltage with more efficient area occupation. [Solution] A semiconductor device which is provided with: a first conductivity type layer into which an impurity of a first conductivity type is introduced; a second conductivity type layer into which an impurity of a second conductivity type is introduced, said impurity of a second conductivity type having a polarity that is different from the polarity of the impurity of a first conductivity type; and an intermediate layer which is sandwiched between the first conductivity type layer and the second conductivity type layer, and which does not contain the impurity of a first conductivity type or the impurity of a second conductivity type, or alternatively has a concentration of the impurity of a first conductivity type or the impurity of a second conductivity type lower than the concentration of the impurity of the first conductivity type layer or the second conductivity type layer. This semiconductor device is configured such that the first conductivity type layer, the intermediate layer and the second conductivity type layer are laminated within a semiconductor substrate in the thickness direction of the semiconductor substrate.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un dispositif à semi-conducteur qui est capable de supporter une tension plus élevée avec une occupation de zone plus efficace. La solution selon l'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend : une couche de premier type de conductivité dans laquelle une impureté d'un premier type de conductivité est introduite; une couche de second type de conductivité dans laquelle une impureté d'un second type de conductivité est introduite, ladite impureté d'un second type de conductivité ayant une polarité qui est différente de la polarité de l'impureté d'un premier type de conductivité; et une couche intermédiaire qui est prise en sandwich entre la couche de premier type de conductivité et la couche de second type de conductivité, et qui ne contient pas l'impureté d'un premier type de conductivité ou l'impureté d'un second type de conductivité, ou en variante présente une concentration de l'impureté d'un premier type de conductivité ou de l'impureté d'un second type de conductivité inférieure à la concentration de l'impureté de la couche de premier type de conductivité ou de la couche de second type de conductivité. Ce dispositif à semi-conducteur est configuré de telle sorte que la couche de premier type de conductivité, la couche intermédiaire et la couche de second type de conductivité sont stratifiées à l'intérieur d'un substrat semi-conducteur dans la direction de l'épaisseur du substrat semi-conducteur.
(JA) 【課題】より効率的な占有面積で、より高電圧に耐えられる半導体装置を提供する。 【解決手段】第1導電型不純物が導入された第1導電型層と、前記第1導電型不純物と極性が異なる第2導電型不純物が導入された第2導電型層と、前記第1導電型層及び前記第2導電型層に挟持され、前記第1導電型不純物又は前記第2導電型不純物を含まない、又は前記第1導電型不純物又は前記第2導電型不純物の濃度が前記第1導電型層及び第2導電型層よりも低い中間層と、を備え、前記第1導電型層、前記中間層及び前記第2導電型層は、半導体基板の内部に前記半導体基板の厚み方向に積層されて設けられる、半導体装置。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)