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1. (WO2019044013) PROTECTION PLATE, SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
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№ de pub.: WO/2019/044013 № do pedido internacional: PCT/JP2018/012088
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 26.03.2018
CIP:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
31
para formar camadas isolantes nos mesmos, p. ex., para mascarar ou usando técnicas fotolitográficas; Pós-tratamento dessas camadas; Seleção de materiais para estas camadas
C QUÍMICA; METALURGIA
23
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO QUÍMICO DE SUPERFÍCIES; TRATAMENTO DE DIFUSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE ÍONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL; INIBIÇÃO DA CORROSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS OU INCRUSTAÇÃO EM GERAL
C
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO DA SUPERFÍCIE DE MATERIAIS METÁLICOS POR DIFUSÃO, POR CONVERSÃO QUÍMICA OU SUBSTITUIÇÃO; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE IONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL
16
Revestimento químico por decomposição de compostos gasosos, sem deixar produtos reacionais do material da superfície no revestimento, i.e., processo de deposição química em fase de vapor (CVD)
44
caracterizado pelo método de revestimento
Requerentes:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
Inventores:
西堂 周平 SAIDO, Shuhei; JP
吉田 秀成 YOSHIDA, Hidenari; JP
岡嶋 優作 OKAJIMA, Yusaku; JP
Dados da prioridade:
2017-16547730.08.2017JP
Título (EN) PROTECTION PLATE, SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PLAQUE DE PROTECTION, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 保護プレート、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
Resumo:
(EN) Disclosed is a protection plate that suppresses adhesion of a by-product to a furnace opening section of a reaction tube. This protection plate is provided on a lid section that airtightly closes an opening of a cylindrical reaction tube having an open lower end. The protection plate is configured such that the protection plate is provided with: a substantially disc-shaped circular plate section that is provided such that at least a part of the lower surface thereof is in contact with the upper surface of the lid section; a side wall section perpendicularly extending from an outer peripheral end of the circular plate section; a loop-shaped groove formed in the lower surface; and a step section, which is formed further toward the outer peripheral side than the groove in the lower surface, and which generates a predetermined gap with respect to the upper surface of the lid section. The protection plate is also configured such that a gas having been supplied to the groove from a gas supply port formed in the lid section is supplied to the whole outer side of the side wall section through the gap between the lid section and the step section.
(FR) L'invention concerne une plaque de protection qui supprime l'adhérence d'un sous-produit à une section d'ouverture de four d'un tube de réaction. Cette plaque de protection est disposée sur une section de couvercle qui ferme de façon étanche à l'air une ouverture d'un tube de réaction cylindrique ayant une extrémité inférieure ouverte. La plaque de protection est configurée de telle sorte que la plaque de protection comporte : une section de plaque circulaire sensiblement en forme de disque qui est disposée de telle sorte qu'au moins une partie de sa surface inférieure est en contact avec la surface supérieure de la section de couvercle ; une section de paroi latérale s'étendant perpendiculairement à partir d'une extrémité périphérique externe de la section de plaque circulaire ; une rainure en forme de boucle formée dans la surface inférieure ; et une section étagée, qui est formée davantage vers le côté périphérique externe que la rainure dans la surface inférieure, et qui génère un espace prédéterminé par rapport à la surface supérieure de la section de couvercle. La plaque de protection est également configurée de telle sorte qu'un gaz ayant été fourni à la rainure à partir d'un orifice d'alimentation en gaz formé dans la section de couvercle est fourni à l'ensemble du côté externe de la section de paroi latérale à travers l'espace entre la section de couvercle et la section étagée.
(JA) 反応管の炉口部への副生成物の付着を抑制する保護プレートが開示される。下端が開放された円筒状の反応管の開口を気密に閉塞する蓋部上に設けられる保護プレートであって、前記蓋部の上面に少なくとも下面の一部が接する様設けられた略円盤状の円板部と、該円板部の外周端から垂直に延出する側壁部と、前記下面に形成されたループ状の溝と、前記下面の前記溝よりも外周側に形成され、前記蓋部の上面との間に所定の隙間を生じさせる段差部とを具備し、前記蓋部に形成されたガス供給口から前記溝に供給されたガスが、前記蓋部と前記段差部との間を通って前記側壁部の外側全体に供給される様構成された。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)