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1. (WO2019043973) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional    Submeter observação

№ de pub.: WO/2019/043973 № do pedido internacional: PCT/JP2017/047289
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 28.12.2017
CIP:
C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
C QUÍMICA; METALURGIA
30
CRESCIMENTO DE CRISTAIS
B
CRESCIMENTO DE MONOCRISTAIS; SOLIDIFICAÇÃO UNIDIRECIONAL DE MATERIAIS EUTÉTICOS OU DESMIXAGEM UNIDIRECIONAL DE MATERIAIS EUTETÓIDES; REFINO POR FUSÃO ZONAL DE MATERIAL; PRODUÇÃO DE UM MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; MONOCRISTAIS OU MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; PÓS-TRATAMENTO DE MONOCRISTAIS OU DE UM MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; APARELHOS PARA ESSE FIM
29
Monocristais ou material policristalino homogêneo com estrutura definida caracterizados pelo material ou por seus formatos
10
Compostos ou composições inorgânicas
36
Carbonetos
C QUÍMICA; METALURGIA
30
CRESCIMENTO DE CRISTAIS
B
CRESCIMENTO DE MONOCRISTAIS; SOLIDIFICAÇÃO UNIDIRECIONAL DE MATERIAIS EUTÉTICOS OU DESMIXAGEM UNIDIRECIONAL DE MATERIAIS EUTETÓIDES; REFINO POR FUSÃO ZONAL DE MATERIAL; PRODUÇÃO DE UM MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; MONOCRISTAIS OU MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; PÓS-TRATAMENTO DE MONOCRISTAIS OU DE UM MATERIAL POLICRISTALINO HOMOGÊNEO COM ESTRUTURA DEFINIDA; APARELHOS PARA ESSE FIM
25
Crescimento de monocristais por reação química de gases reativos, p. ex., crescimento químico por depósito de vapores
02
Crescimento de camadas epitaxiais
18
caracterizado pelo substrato
20
sendo o substrato do mesmo material que a camada epitaxial
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
20
Depósito de materiais semicondutores em uma base, p. ex., crescimento epitaxial
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
20
Depósito de materiais semicondutores em uma base, p. ex., crescimento epitaxial
205
usando a redução ou a decomposição de um composto gasoso produzindo um condensado sólido, i.e., um depósito químico
Requerentes:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Inventores:
堀 勉 HORI, Tsutomu; JP
宮瀬 貴也 MIYASE, Takaya; JP
本家 翼 HONKE, Tsubasa; JP
山本 裕史 YAMAMOTO, Hirofumi; JP
沖田 恭子 OKITA, Kyoko; JP
Mandatário:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
Dados da prioridade:
PCT/JP2017/03166801.09.2017JP
Título (EN) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板
Resumo:
(EN) This silicon carbide epitaxial substrate is provided with a single-crystal silicon carbide substrate having a principal surface that has a polytype of 4H and is inclined by an angle θ in an <11-20> orientation from a {0001} plane, and a silicon carbide epitaxial layer of a film thickness t formed on the principal surface. The single-crystal silicon carbide substrate has a diameter of 150 mm or greater. The angle θ is more than 0°, and not more than 6°. Pairs of a pit of a screw dislocation and an oblique line defect present at a location spaced apart by t/tanθ from the pit is present on the surface of the silicon carbide epitaxial layer. The density of pairs of pits and oblique line defects is 0.2/cm2 or less.
(FR) La présente invention concerne un substrat épitaxial de carbure de silicium pourvu d’un substrat de carbure de silicium monocristallin présentant une surface principale qui possède un polytype de 4H et qui est incliné d’un angle θ dans un sens <11-20> depuis un plan {1} et une couche épitaxiale de carbure de silicium d’une épaisseur de film t formée sur la surface principale. Le substrat de carbure de silicium monocristallin présente un diamètre supérieur ou égal à 150 mm. L’angle θ est supérieur à 0° et inférieur ou égal à 6°. Des paires d'un creux d’une dislocation en vis et un défaut de ligne oblique présent à un emplacement espacé de t/tanθ par rapport au creux est présent sur la surface de la couche épitaxiale de carbure de silicium. La densité des paires de creux et des défauts en ligne oblique est inférieure ou égale à 0,2/cm2.
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板は、ポリタイプが4Hであり、{0001}面から<11-20>方位に角度θ傾斜した主面を有する炭化珪素単結晶基板と、主面の上に形成された膜厚tの炭化珪素エピタキシャル層と、を備え、炭化珪素単結晶基板の径は150mm以上であり、角度θは0°を超え6°以下であって、炭化珪素エピタキシャル層の表面には、らせん転位のピットと、ピットよりt/tanθ離れた位置に存在する斜め線欠陥とのペアが存在しており、ピットと斜め線欠陥のペアの密度が0.2個/cm以下である。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)