Algum conteúdo deste aplicativo está indisponível no momento.
Se esta situação persistir, por favor entre em contato conoscoFale conosco & Contato
1. (WO2019043945) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional    Submeter observação

№ de pub.: WO/2019/043945 № do pedido internacional: PCT/JP2017/031788
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 04.09.2017
CIP:
H01J 37/141 (2006.01) ,H01J 37/317 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
J
VÁLVULAS DE DESCARGA ELÉTRICA OU LÂMPADAS DE DESCARGA
37
Válvulas de descarga com meios para introduzir objetos ou materiais a serem expostos à descarga, p. ex., para fins de exame ou processamento dos mesmos
02
Detalhes
04
Disposições de eletrodos e elementos associados para produzir ou controlar a descarga, p. ex., disposição óptico-eletrônica, disposição óptico-iônica
10
Lentes
14
magnéticas
141
Lentes eletromagnéticas
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
J
VÁLVULAS DE DESCARGA ELÉTRICA OU LÂMPADAS DE DESCARGA
37
Válvulas de descarga com meios para introduzir objetos ou materiais a serem expostos à descarga, p. ex., para fins de exame ou processamento dos mesmos
30
Válvulas de raios eletrônicos ou de raios iônicos para tratamento localizado de objetos
317
para modificar as propriedades dos objetos ou para lhes aplicar camadas delgadas, p. ex., implantação de íons
Requerentes:
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
Inventores:
平野 遼 HIRANO Ryo; JP
野間口 恒典 NOMAGUCHI Tsunenori; JP
神谷 知里 KAMIYA Chisato; JP
片根 純一 KATANE Junichi; JP
Mandatário:
特許業務法人平木国際特許事務所 HIRAKI & ASSOCIATES; 東京都港区愛宕二丁目5-1 愛宕グリーンヒルズMORIタワー32階 Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232, JP
Dados da prioridade:
Título (EN) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 荷電粒子線装置
Resumo:
(EN) The present invention achieves, with a simple configuration, a complex charged particle beam device that can reduce leakage magnet-field from a magnetic pole piece constituting an objective lens of a SEM. This charged particle beam device: acquires an ion-beam observation image while causing current to flow in a first coil constituting the objective lens; executes, for a plurality of current values, operations for reducing image displacement of the ion-beam image by causing current to flow in a second coil; and determines the current to be caused to flow in the second coil based on differences between the operations.
(FR) La présente invention permet d'obtenir, au moyen d'une configuration simple, un dispositif à faisceau de particules chargées complexe pouvant réduire le champ magnétique de fuite d'une pièce polaire magnétique constituant un objectif d'un MEB. Ce dispositif à faisceau de particules chargées : acquiert une image d'observation de faisceau d'ions tout en amenant un courant à circuler dans une première bobine constituant l'objectif ; exécute, pour une pluralité de valeurs de courant, des opérations de réduction de déplacement d'image de l'image de faisceau d'ions en amenant un courant à circuler dans une seconde bobine ; et détermine le courant devant être amené à circuler dans la seconde bobine en fonction de différences entre les opérations.
(JA) 本発明は、SEMの対物レンズを形成する磁極片からの漏れ磁場を抑制することができる複合荷電粒子線装置を、簡易な構造により実現するものである。本発明に係る荷電粒子線装置は、対物レンズを構成する第1コイルに電流を流しながらイオンビーム観察像を取得し、第2コイルに電流を流すことによりその像ずれを減少させる動作を、複数の電流値で実施し、前記動作間の差分に基づき前記第2コイルに流す電流を決定する(図6参照)。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)