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1. (WO2019043895) DOUBLE-SIDE POLISHING METHOD FOR SILICON WAFER
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2019/043895 № do pedido internacional: PCT/JP2017/031496
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 31.08.2017
CIP:
H01L 21/304 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
302
para mudar as características físicas ou a forma de sua superfície, p. ex., gravação, polimento, recorte
304
Tratamento mecânico, p. ex., esmerilhamento, polimento, recorte
Requerentes:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
Inventores:
谷本 竜一 TANIMOTO Ryuichi; JP
山崎 一郎 YAMAZAKI Ichiro; JP
御厨 俊介 MIKURIYA Shunsuke; JP
Mandatário:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
Dados da prioridade:
Título (EN) DOUBLE-SIDE POLISHING METHOD FOR SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE DOUBLE FACE POUR TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの両面研磨方法
Resumo:
(EN) The present invention provides a double-side polishing method for a silicon wafer, the method being capable of suppressing occurrence of micro scratches on the front and back surfaces of a polished silicon wafer. The present invention provides a double-side polishing method for a silicon wafer by which the front surface and the back surface of the silicon wafer are polished at the same time by using a double-side polishing apparatus, the method involving continuous implementation of: a first polishing step for performing double-side polishing while supplying, to polishing cloths, a first polishing liquid comprising an alkali aqueous solution including abrasive grains; a subsequent polishing liquid switching step for stopping the supply of the first polishing liquid and starting the supply of a second polishing liquid comprising an alkali aqueous solution including an aqueous polymer and not including abrasive grains in a state in which the rotation of an upper polishing plate and a lower polishing plate is continued while the polishing cloth of the upper polishing plate and the polishing cloth of the lower polishing plate remain in contact with the front surface and the rear surface of the silicon wafer, respectively; and a subsequent second polishing step for performing double-side polishing while supplying the second polishing liquid to the polishing cloths.
(FR) La présente invention concerne un procédé de polissage double face pour une tranche de silicium, le procédé étant apte à supprimer l'apparition de micro-rayures sur les surfaces avant et arrière d'une tranche de silicium polie. La présente invention concerne un procédé de polissage double face pour une tranche de silicium par lequel la surface avant et la surface arrière de la tranche de silicium sont polies en même temps à l'aide d'un appareil de polissage double face, le procédé impliquant la mise en œuvre continue de : une première étape de polissage pour effectuer un polissage double face tout en fournissant, à des tissus de polissage, un premier liquide de polissage comprenant une solution aqueuse alcaline comprenant des grains abrasifs ; une étape de changement de liquide de polissage ultérieure pour arrêter le fourniture du premier liquide de polissage et démarrer la fourniture d'un second liquide de polissage comprenant une solution aqueuse alcaline comprenant un polymère aqueux et ne comprenant pas de grains abrasifs dans un état dans lequel la rotation d'une plaque de polissage supérieure et d'une plaque de polissage inférieure est poursuivie tandis que le tissu de polissage de la plaque de polissage supérieure et le tissu de polissage de la plaque de polissage inférieure restent en contact respectivement avec la surface avant et la surface arrière de la tranche de silicium ; et une seconde étape de polissage ultérieure pour effectuer un polissage double face tout en fournissant le second liquide de polissage aux tissus de polissage.
(JA) 本発明は、研磨後のシリコンウェーハの表裏面にマイクロスクラッチが発生することを抑制できるシリコンウェーハの両面研磨方法を提供する。本発明は、両面研磨装置を用いてシリコンウェーハの表面および裏面を同時に研磨するシリコンウェーハの両面研磨方法であって、砥粒を含むアルカリ水溶液からなる第1の研磨液を研磨布に供給しながら両面研磨を行う第1の研磨工程と、その後、シリコンウェーハの表面および裏面に、それぞれ上定盤および下定盤の研磨布を接触させたまま、かつ、上定盤および下定盤の回転を継続した状態で、第1の研磨液の供給を停止するとともに、砥粒を含まず水溶性高分子を含むアルカリ水溶液からなる第2の研磨液の供給を開始する研磨液切替え工程と、その後、第2の研磨液を研磨布に供給しながら両面研磨を行う第2の研磨工程と、を連続して有する。
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Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)