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1. (WO2019043870) SPRING ELECTRODE FOR PRESS-PACK POWER SEMICONDUCTOR MODULE
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2019/043870 № do pedido internacional: PCT/JP2017/031365
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 31.08.2017
CIP:
H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H01R 11/01 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
48
Disposições para conduzir a corrente elétrica até ou a partir de um corpo sólido durante seu funcionamento, p. ex., fios condutores ou disposições de terminais
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
50
Montagem de dispositivos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos em um único dos grupos H01L21/06-H01L21/326158
52
Montagem de corpos semicondutores em recipientes
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
25
Montagens, consistindo de vários dispositivos semicondutores individuais ou outros dispositivos de estado sólido
03
todos os dispositivos sendo de um tipo incluído no mesmo subgrupo dos grupos H01L27/-H01L51/128
04
não tendo os dispositivos recipientes separados
07
sendo os dispositivos de um tipo previsto no grupo H01L29/78
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
25
Montagens, consistindo de vários dispositivos semicondutores individuais ou outros dispositivos de estado sólido
18
os dispositivos dos tipos incluídos em dois ou mais diferentes subgrupos do mesmo grupo principal dos grupos H01L27/-H01L51/160
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
R
CONEXÕES ELETROCONDUTORAS; ASSOCIAÇÕES ESTRUTURAIS DE UMA PLURALIDADE DE ELEMENTOS DE CONEXÃO ELÉTRICA MUTUAMENTE ISOLADOS; DISPOSITIVOS DE ACOPLAMENTO; COLETORES DE CORRENTE
11
Conectores que oferecem dois ou mais pontos espaçados de conexão para elementos condutivos que são ou podem ser interconectados desse modo, p. ex., peças terminais para fios ou cabos suportadas pelo fio ou cabo e tendo meios para facilitar a conexão elétrica a algum outro fio, terminal ou elemento condutivo
01
caracterizados pelo formato ou disposição da interconexão condutiva entre os pontos de conexão
Requerentes:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventores:
藤田 重人 FUJITA Shigeto; JP
松田 哲也 MATSUDA Tetsuya; JP
Mandatário:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
Dados da prioridade:
Título (EN) SPRING ELECTRODE FOR PRESS-PACK POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) ÉLECTRODE À RESSORT POUR MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE DE BLOC-PRESSE
(JA) プレスパックパワー半導体モジュール用ばね電極
Resumo:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a spring electrode that prevents disconnection of a power conduction path during short-circuiting of a semiconductor chip in a press-pack power semiconductor module. This spring electrode (101) for a press-pack power semiconductor module comprises: a first electrode (11) that contacts a power semiconductor chip; a second electrode (12) that is disposed facing the first electrode; and a pressure pad connecting the first electrode (11) and the second electrode (12), the pressure pad being flexible in the direction of a normal to the facing surfaces of the first electrode (11) and the second electrode (12). The facing surfaces of the first electrode (11) and the second electrode (12) have pentagonal or greater polygonal shapes. The edges of the facing surface of the first electrode (11) and the edges of the facing surface of the second electrode (12) that correspond to these edges are connected in parallel by the pressure pad (13).
(FR) L'objectif de la présente invention est de fournir une électrode à ressort qui empêche la déconnexion d'un trajet de conduction de puissance pendant un court-circuit d'une puce semi-conductrice dans un module semi-conducteur de puissance de bloc-presse. Cette électrode à ressort (101) pour un module semi-conducteur de puissance de bloc-presse comprend : une première électrode (11) qui entre en contact avec une puce semi-conductrice de puissance ; une seconde électrode (12) qui est disposée en regard de la première électrode ; et un tampon de pression connectant la première électrode (11) et la seconde électrode (12), le tampon de pression étant flexible dans la direction d'une normale aux surfaces opposées de la première électrode (11) et de la seconde électrode (12). Les surfaces opposées de la première électrode (11) et de la seconde électrode (12) ont des formes polygonales au moins pentagonales. Les bords de la surface opposée de la première électrode (11) et les bords de la surface opposée de la seconde électrode (12) qui correspondent à ces bords sont connectés en parallèle par le tampon de pression (13).
(JA) 本発明は、プレスパックパワー半導体モジュールにおいて、半導体チップの短絡時に導電路の断線を防ぐばね電極の提供を目的とする。本発明のプレスパックパワー半導体モジュール用ばね電極(101)は、パワー半導体チップと接触する第1電極(11)と、第1電極に対向して配置される第2電極(12)と、第1電極(11)および第2電極(12)を接続し、第1電極(11)および第2電極(12)の対向面の法線方向に可撓性を有するプレッシャパッドとを備え、第1電極(11)および第2電極(12)の対向面は5角形以上の多角形であり、第1電極(11)の対向面の各辺とこれらの辺に対応する第2電極(12)の対向面の各辺とは、プレッシャパッド(13)により並列接続される。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)