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1. (WO2019043715) TRANSITION-METAL OXIDES-COATED HYDROGEN-TERMINATED DIAMOND SURFACE AND USES THEREOF
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№ de pub.: WO/2019/043715 № do pedido internacional: PCT/IL2018/050971
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 02.09.2018
CIP:
H01B 1/04 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 29/16 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
B
CABOS; CONDUTORES; ISOLADORES; USO DE MATERIAIS ESPECÍFICOS DEVIDO AS SUAS PROPRIEDADES CONDUTORAS, ISOLANTES OU DIELÉTRICAS
1
Condutores ou corpos condutores caracterizados pelos materiais condutores; Seleção de materiais para condutores
04
consistindo, principalmente, de compostos de carbono-silício, de carbono ou de silício
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
02
caracterizados por seus corpos semicondutores
12
caracterizados pelos materiais de que são formados
16
incluindo, além dos materiais dopados ou outras impurezas, apenas elementos do quarto grupo do Sistema periódico em forma não combinada
Requerentes:
TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LTD. [IL/IL]; Senate House Technion City 3200000 Haifa, IL
Inventores:
KALISH, Rafi; IL
TORDJMAN, Moshe; IL
Mandatário:
AVITAL, Avihu; BEN-AMI & ASSOCIATES P.O Box 94 7610002 Rehovot, IL
Dados da prioridade:
62/553,87103.09.2017US
Título (EN) TRANSITION-METAL OXIDES-COATED HYDROGEN-TERMINATED DIAMOND SURFACE AND USES THEREOF
(FR) SURFACE DE DIAMANT À TERMINAISON D'HYDROGÈNE REVÊTUE D'OXYDES DE MÉTAUX DE TRANSITION ET UTILISATIONS ASSOCIÉES
Resumo:
(EN) The present invention provides a conducting material comprising a carbon-based material selected from a diamond or an insulating diamond-like carbon, having a hydrogen- terminated surface and a layer of tungsten trioxide, rhenium trioxide, or chromium oxide coating said hydrogen-terminated surface. Such conducting materials are useful in the fabrication of electronic components, electrodes, sensors, diodes, field effect transistors, and field emission electron sources.
(FR) La présente invention concerne un matériau conducteur comprenant un matériau à base de carbone sélectionné parmi un diamant ou un carbone de type diamant isolant, ayant une surface à terminaison hydrogène et une couche de trioxyde de tungstène, de trioxyde de rhénium ou d'oxyde de chrome recouvrant ladite surface à terminaison hydrogène. Ces matériaux conducteurs sont utiles dans la fabrication de composants électroniques, d'électrodes, de capteurs, de diodes, de transistors à effet de champ et de sources d'électrons à émission de champ.
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)