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1. (WO2019043206) PHASE TRANSITION THIN FILM DEVICE
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№ de pub.: WO/2019/043206 № do pedido internacional: PCT/EP2018/073550
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 31.08.2018
CIP:
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01) ,H03H 9/42 (2006.01) ,G01L 9/00 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
45
Dispositivos de estado sólido adaptados à retificação, amplificação, oscilação ou comutação sem uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., triodos dielétricos; Dispositivos de efeito Ovshinsky; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento dos mesmos ou de suas partes
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
49
Dispositivos de estado sólido não incluídos nos grupos H01L27/-H01L47/106; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes
H ELECTRICIDADE
03
CIRCUITOS ELETRÔNICOS BÁSICOS
H
REDES DE IMPEDÂNCIA, p. ex., CIRCUITOS RESSONANTES; RESSONADORES
9
Redes compreendendo dispositivos eletromecânicos ou eletroacústicos; Ressonadores eletromecânicos
30
Redes de retardo de tempo
42
usando ondas acústicas de superfície
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
L
MEDIÇÃO DA FORÇA, TENSÃO, TORQUE, TRABALHO, POTÊNCIA MECÂNICA, EFICIÊNCIA MECÂNICA, OU PRESSÃO DOS FLUIDOS
9
Medição da pressão estática ou quase estática de um fluido ou de um material sólido fluente por meio de elementos elétricos ou magnéticos sensíveis à pressão; Transmissão ou indicação do deslocamento de elementos mecânicos sensíveis à pressão utilizados, medição da pressão estática ou quase estática de um fluido ou de um material sólido fluente, por meios elétricos ou magnéticos
Requerentes:
KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN [BE/BE]; KU Leuven R&D Waaistraat 6 - box 5105 3000 Leuven, BE
Inventores:
LOCQUET, Jean-Pierre; BE
SEO, Jin Won Maria; BE
MENGHINI, Mariela; BE
HOMM JARA, Pia; BE
Mandatário:
DENK IP BVBA; BE
HERTOGHE, Kris; BE
Dados da prioridade:
1713937.931.08.2017GB
1713940.331.08.2017GB
1810275.622.06.2018GB
1810969.404.07.2018GB
Título (EN) PHASE TRANSITION THIN FILM DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FILM MINCE À TRANSITION DE PHASE
Resumo:
(EN) The disclosed device comprises a thin film layer (4) of a phase transition material disposed over a substrate (2), and a confinement layer (3) adjacent to the thin film layer. The thin film layer has first and second in-plane lattice parameters and an out-of-plane lattice parameter when undergoing the phase transition, and the confinement layer has first and second in-plane layer lattice parameters and an out-of-plane layer lattice parameter. The confinement layer lattice parameters are within a range which allows to control the onset of and/or block the phase transition.
(FR) Le dispositif selon la présente invention comprend une couche de film mince (4) d'un matériau de transition de phase disposé sur un substrat (2), et une couche de confinement (3) adjacente à la couche de film mince. La couche de film mince comprend des premier et second paramètres de réseau dans le plan et un paramètre de réseau hors plan lors de sa soumission à la transition de phase, et la couche de confinement comprend des premier et second paramètres de réseau de couche dans le plan et un paramètre de réseau de couche hors plan. Les paramètres de réseau de la couche de confinement s'inscrivent dans une plage permettant de commander le déclenchement et/ou le blocage de la transition de phase.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)