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1. (WO2019042662) SEMICONDUCTOR PHOTOMULTIPLIER WITH IMPROVED OPERATING VOLTAGE RANGE
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№ de pub.: WO/2019/042662 № do pedido internacional: PCT/EP2018/070088
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 25.07.2018
CIP:
G01T 1/24 (2006.01)
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
T
MEDIÇÃO DE RADIAÇÕES NUCLEARES OU DE RAIOS-X
1
Medição dos raios-X, radiação gama, da radiação corpuscular, ou radiações cósmicas
16
Medição da intensidade das radiações
24
com detectores semicondutores
Requerentes:
SENSL TECHNOLOGIES LTD [IE/IE]; Building 6800, Avenue 6000 Cork Airport Business Park Cork, T12 CDF7, IE
Inventores:
DALY, Paul Malachy; IE
JACKSON, John Carlton; IE
Mandatário:
MANITZ FINSTERWALD PATENT- UND RECHTSANWALTSPARTNERSCHAFT MBB; Postfach 31 02 20 80102 München, DE
Dados da prioridade:
15/689,13529.08.2017US
Título (EN) SEMICONDUCTOR PHOTOMULTIPLIER WITH IMPROVED OPERATING VOLTAGE RANGE
(FR) PHOTOMULTIPLICATEUR À SEMI-CONDUCTEURS À PLAGE DE TENSION DE FONCTIONNEMENT AMÉLIORÉE
Resumo:
(EN) The present disclosure relates to a semiconductor photomultiplier (100) comprising an array of interconnected microcells; wherein the array comprises at least a first type of microcell (125) having a first junction region of a first geometric shape; and a second type of microcell (225) having a second junction region of a second geometric shape.
(FR) La présente invention concerne un photomultiplicateur à semi-conducteurs (100) comprenant un réseau de microcellules interconnectées; le réseau comprenant au moins un premier type de microcellules (125) présentant une première région de jonction d'une première forme géométrique; et un second type de microcellules (225) présentant une seconde région de jonction d'une seconde forme géométrique.
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)