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1. (WO2019042118) METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
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№ de pub.: WO/2019/042118 № do pedido internacional: PCT/CN2018/100236
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 13.08.2018
CIP:
H01L 21/335 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
334
Processos de várias etapas para a fabricação de dispositivos do tipo unipolar
335
Transistores de efeito de campo
Requerentes:
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
PEKING UNIVERSITY [CN/CN]; No.5 Yiheyuan Rd., Haidian District Beijing 100871, CN
Inventores:
MENG, Hu; CN
LIANG, Xuelei; CN
XIA, Jiye; CN
TIAN, Boyuan; CN
DONG, Guodong; CN
HUANG, Qi; CN
Mandatário:
TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Dados da prioridade:
201710774682.531.08.2017CN
Título (EN) METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À COUCHES MINCES, TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE RÉSEAU, ET APPAREIL D'AFFICHAGE
Resumo:
(EN) A method of fabricating a thin film transistor. The method includes selecting a nano-structure material having a monotonic relationship between a threshold voltage and a channel length when the nano-structure material is formed as a channel part in a thin film transistor; forming an active layer using the nano-structure material; determining a nominal channel length of a channel part of the thin film transistor based on the monotonic relationship and a reference threshold voltage so that the thin film transistor is formed to have a nominal threshold voltage; and forming a source electrode and a drain electrode thereby forming the channel part in the active layer having the nominal channel length.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à couches minces. Le procédé consiste à sélectionner un matériau de nano-structure ayant une relation monotone entre une tension seuil et une longueur de canal lorsque le matériau de nano-structure est formé en tant que partie de canal dans un transistor à couches minces ; à former une couche active à l'aide du matériau de nano-structure ; à déterminer une longueur de canal nominale d'une partie de canal du transistor à couches minces sur la base de la relation monotone et d'une tension seuil de référence de sorte que le transistor à couches minces est formé pour avoir une tension seuil nominale ; et à former une électrode de source et une électrode de drain, formant ainsi la partie de canal dans la couche active ayant la longueur de canal nominale.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)