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1. (WO2019041976) METHOD OF FABRICATING ARRAY SUBSTRATE, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
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№ de pub.: WO/2019/041976 № do pedido internacional: PCT/CN2018/091784
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 19.06.2018
CIP:
H01L 21/77 (2017.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
77
Manufatura ou tratamento de dispositivos constituídos de uma pluralidade de componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados dentro ou sobre um substrato comum
Requerentes:
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
Inventores:
BAN, Shengguang; CN
CAO, Zhanfeng; CN
YAO, Qi; CN
Mandatário:
TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Dados da prioridade:
201710772525.031.08.2017CN
Título (EN) METHOD OF FABRICATING ARRAY SUBSTRATE, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE RÉSEAU, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET APPAREIL D'AFFICHAGE
Resumo:
(EN) The present application provides an array substrate. The array substrate includes a base substrate; a light shielding layer on the base substrate; a metal oxide layer on a side of the light shielding layer distal to the base substrate; and an active layer on a side of the metal oxide layer distal to the base substrate. The metal oxide layer includes a metal oxide material. The light shielding layer includes amorphous silicon. An orthographic projection of the light shielding layer on the base substrate substantially overlaps with an orthographic projection of the active layer on the base substrate, and substantially overlaps with an orthographic projection of the metal oxide layer on the base substrate.
(FR) La présente invention se rapporte à un substrat de réseau. Le substrat de réseau comprend un substrat de base; une couche de protection contre la lumière sur le substrat de base; une couche d'oxyde métallique sur un côté de la couche de protection contre la lumière distal par rapport au substrat de base; et une couche active sur un côté de la couche d'oxyde métallique distal par rapport au substrat de base. La couche d'oxyde métallique comprend un matériau d'oxyde métallique. La couche de protection contre la lumière comprend du silicium amorphe. Une projection orthographique de la couche de protection contre la lumière sur le substrat de base chevauche sensiblement une projection orthographique de la couche active sur le substrat de base, et chevauche sensiblement une projection orthographique de la couche d'oxyde métallique sur le substrat de base.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)