Algum conteúdo deste aplicativo está indisponível no momento.
Se esta situação persistir, por favor entre em contato conoscoFale conosco & Contato
1. (WO2019041742) ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD OF FABRICATING ARRAY SUBSTRATE
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional    Submeter observação

№ de pub.: WO/2019/041742 № do pedido internacional: PCT/CN2018/074123
Data de publicação: 07.03.2019 Data de depósito internacional: 25.01.2018
CIP:
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/77 (2017.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
02
incluindo componentes semicondutores adaptados à retificação, oscilação, amplificação, comutação e tendo pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície; incluindo elementos de circuito passivo integrado com pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície
12
sendo o substrato outro que não um corpo semicondutor, p. ex., um corpo isolante
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
77
Manufatura ou tratamento de dispositivos constituídos de uma pluralidade de componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados dentro ou sobre um substrato comum
Requerentes:
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District, Beijing 100015, CN
Inventores:
SONG, Zhen; CN
WANG, Guoying; CN
Mandatário:
TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue Dongcheng District, Beijing 100005, CN
Dados da prioridade:
201710778807.131.08.2017CN
Título (EN) ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD OF FABRICATING ARRAY SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE, APPAREIL D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU SUBSTRAT DE MATRICE
Resumo:
(EN) The present application discloses an array substrate having a plurality of subpixel areas. The array substrate includes a base substrate; a plurality of first thin film transistors on the base substrate, each of which being in one of the plurality of subpixel areas; and a plurality of capacitor electrodes, each of which being in one of the plurality of subpixel areas. Each of the plurality of first thin film transistors includes a first active layer, a first gate electrode, a first source electrode, and a first drain electrode. The first active layer includes a first semi-conductive channel part, a first conductive part electrically connected to the first drain electrode, and a second conductive part electrically connected to the first source electrode. Each of the plurality of capacitor electrodes, the insulating layer, and the first conductive part constitute a first storage capacitor in one of the plurality of subpixel areas.
(FR) La présente invention concerne un substrat de matrice comportant une pluralité de zones de sous-pixels. Le substrat de matrice comprend un substrat de base; une pluralité de premiers transistors à film mince sur le substrat de base, chacun d'eux étant dans l'une des zones de la pluralité de zones de sous-pixels; et une pluralité d'électrodes de condensateur, chacune d'elles se trouvant dans l'une des zones de la pluralité de zones de sous-pixels. Chaque transistor de la pluralité de premiers transistors à film mince comprend une première couche active, une première électrode de grille, une première électrode de source et une première électrode de drain. La première couche active comprend une première partie canal semi-conduceur, une première partie conductrice connectée électriquement à la première électrode de drain, et une seconde partie conductrice connectée électriquement à la première électrode de source. Chaque électrode de la pluralité d'électrodes de condensateur, la couche isolante et la première partie conductrice constituent un premier condensateur de stockage dans l'une des zones de la pluralité de zones de sous-pixels.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)