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1. (WO2019039355) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2019/039355 № do pedido internacional: PCT/JP2018/030292
Data de publicação: 28.02.2019 Data de depósito internacional: 14.08.2018
CIP:
G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G FÍSICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TÉCNICAS SEMELHANTES UTILIZANDO ONDAS OUTRAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ELETROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUÇÃO FOTOMECÂNICA DE SUPERFÍCIES TEXTURIZADAS OU ESTAMPADAS, p. ex., PARA IMPRESSÃO, PARA PROCESSAMENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; MATERIAIS PARA AS MESMAS; ORIGINAIS PARA AS MESMAS; APARELHOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA ESSE FIM
7
Produção fotomecânica, p. ex., fotolitografia, produção de superfícies texturizadas ou estampadas, p. ex., superfícies para impressão; Materiais para esse fim, p. ex., compreendendo fotoresistes; Aparelhos especialmente adaptados para esse fim
004
Materiais fotossensíveis
09
caracterizadas pelos detalhes estruturais, p. ex., suportes; camadas auxiliares
11
tendo camadas de cobertura ou intermediárias, p. ex., camadas de substrato
G FÍSICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TÉCNICAS SEMELHANTES UTILIZANDO ONDAS OUTRAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ELETROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUÇÃO FOTOMECÂNICA DE SUPERFÍCIES TEXTURIZADAS OU ESTAMPADAS, p. ex., PARA IMPRESSÃO, PARA PROCESSAMENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; MATERIAIS PARA AS MESMAS; ORIGINAIS PARA AS MESMAS; APARELHOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA ESSE FIM
7
Produção fotomecânica, p. ex., fotolitografia, produção de superfícies texturizadas ou estampadas, p. ex., superfícies para impressão; Materiais para esse fim, p. ex., compreendendo fotoresistes; Aparelhos especialmente adaptados para esse fim
20
Exposição; aparelhos para esse fim
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
027
Fabricação de máscaras sobre corpos semicondutores para tratamento fotolitográfico posterior, não previsto nos subgrupos H01L21/18 ou H01L21/34186
Requerentes:
日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 5-1, Nihonbashi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1036119, JP
Inventores:
緒方 裕斗 OGATA, Hiroto; JP
臼井 友輝 USUI, Yuki; JP
遠藤 雅久 ENDO, Masahisa; JP
岸岡 高広 KISHIOKA, Takahiro; JP
Mandatário:
特許業務法人はなぶさ特許商標事務所 HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; 東京都千代田区神田駿河台3丁目2番地 新御茶ノ水アーバントリニティ Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062, JP
Dados da prioridade:
2017-16148024.08.2017JP
Título (EN) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM
(FR) COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER UN FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSINE
(JA) レジスト下層膜形成組成物
Resumo:
(EN) [Problem] To provide a novel composition for forming a resist underlayer film. [Solution] A composition for forming a resist underlayer film, which contains a copolymer having a constituent unit represented by formula (1) and a solvent. (In the formula, X represents a bivalent linear hydrocarbon group having 2 to 10 carbon atoms, wherein the bivalent linear hydrocarbon group may have at least one sulfur or oxygen atom in the main chain thereof and may have at last one hydroxy group as a substituent; R represents a linear hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms; and two n's independently represent 0 or 1.)
(FR) L'invention concerne une nouvelle composition de formation d'un film de sous-couche de résine. La solution selon l'invention porte sur une composition pour la formation d'un film de sous-couche de résine qui contient un copolymère ayant une unité structurelle représentée par la formule (1), et un solvant. Dans la formule, X représente un groupe hydrocarbure linéaire bivalent ayant 2 à 10 atomes de carbone, le groupe hydrocarbure linéaire bivalent pouvant avoir au moins un atome de soufre ou d'oxygène dans sa chaîne principale et pouvant avoir au moins un groupe hydroxy en tant que substituant; R représente un groupe hydrocarbure linéaire ayant de 1 à 10 atomes de carbone; et deux n représentent indépendamment 0 ou 1.
(JA) 【課題】 新規なレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】下記式(1)で表される構造単位を有する共重合体及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物。(上記式中、Xは炭素原子数2乃至10の二価の鎖状炭化水素基を表し、該二価の鎖状炭化水素基は、主鎖に硫黄原子又は酸素原子を少なくとも1つ有していてもよく、また置換基としてヒドロキシ基を少なくとも1つ有していてもよく、Rは炭素原子数1乃至10の鎖状炭化水素基を表し、2つのnはそれぞれ0又は1を表す。)
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Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)