Algum conteúdo deste aplicativo está indisponível no momento.
Se esta situação persistir, por favor entre em contato conoscoFale conosco & Contato
1. (WO2019039070) FILM DEPOSITION METHOD
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2019/039070 № do pedido internacional: PCT/JP2018/024019
Data de publicação: 28.02.2019 Data de depósito internacional: 25.06.2018
CIP:
C23C 14/34 (2006.01)
C QUÍMICA; METALURGIA
23
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO QUÍMICO DE SUPERFÍCIES; TRATAMENTO DE DIFUSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE ÍONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL; INIBIÇÃO DA CORROSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS OU INCRUSTAÇÃO EM GERAL
C
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO DA SUPERFÍCIE DE MATERIAIS METÁLICOS POR DIFUSÃO, POR CONVERSÃO QUÍMICA OU SUBSTITUIÇÃO; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE IONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL
14
Revestimento por evaporação a vácuo, por pulverização catódica ou por implantação de ions do material
22
caracterizado pelo processo de revestimento
34
Pulverização catódica
Requerentes:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
Inventores:
赤松 泰彦 AKAMATSU Yasuhiko; JP
高橋 律雄 TAKAHASHI Ritsuo; JP
Mandatário:
特許業務法人青莪 SEIGA PATENT AND TRADEMARK CORPORATION; 東京都品川区西五反田8-1-14 最勝ビル9階 9th Fl., Saisho Bldg., 1-14, Nishi-Gotanda 8-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031, JP
Dados da prioridade:
2017-15948722.08.2017JP
Título (EN) FILM DEPOSITION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE FILMS
(JA) 成膜方法
Resumo:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a film deposition method by which it is possible to achieve high yield deposition of oxide or nitride films when the target used is an oxide or nitride containing at least one element selected from among metallic elements and metalloid elements as a constituent element, without having to rely on an RF sputtering method. Here, an oxide or nitride containing at least one element selected from among metallic elements and metalloid elements as a constituent element is used as a target, and the target is sputtered in a vacuum atmosphere so that an oxide film or nitride film having a high resistance value is deposited on a substrate surface. Multiple sheets of the target having the same composition are juxtaposed in the same plane, and AC power at a predetermined frequency is applied between paired targets among the juxtaposed targets with the targets being alternately switched between an anode electrode and a cathode electrode so that plasma is generated between the targets, and the target serving as the cathode electrode is sputtered.
(FR) L'objet de la présente invention est de fournir un procédé de dépôt de films par lequel il est possible d'obtenir un dépôt à haut rendement de films d'oxyde ou de nitrure lorsque la cible utilisée est un oxyde ou un nitrure contenant au moins un élément choisi parmi des éléments métalliques et des éléments métalloïdes en tant qu'élément constitutif, sans avoir recours à un procédé de pulvérisation RF. Selon l'invention, un oxyde ou un nitrure contenant au moins un élément choisi parmi des éléments métalliques et des éléments métalloïdes en tant qu'élément constitutif sert de cible, et la cible est pulvérisée dans une atmosphère sous vide de façon à déposer un film d'oxyde ou un film de nitrure ayant une valeur de résistance élevée sur une surface de substrat. De multiples feuilles de la cible ayant la même composition sont juxtaposées dans le même plan, et un courant alternatif à une fréquence prédéfinie est appliqué entre des cibles appariées parmi les cibles juxtaposées, les cibles étant commutées en alternance entre une électrode d'anode et une électrode de cathode de façon à générer un plasma entre les cibles, et à pulvériser la cible servant d'électrode de cathode.
(JA) 金属元素及び半金属元素のうち少なくとも1種を構成元素として含む酸化物または窒化物をターゲットとする場合に、RFスパッタリング法に依らず、高い量産性で酸化物膜や窒化物膜を成膜できる成膜方法を提供する。 金属元素及び半金属元素のうち少なくとも1種を構成元素として含む酸化物または窒化物をターゲットとし、真空雰囲気中でこのターゲットをスパッタリングして被成膜物表面に高抵抗値を持つ酸化物膜または窒化物膜を成膜する。同等の組成を有する上記ターゲットの複数枚を同一平面内に並設し、この並設されたターゲットのうち対をなすターゲット間に所定の周波数の交流電力を投入し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切り換えることでターゲット相互の間でプラズマを発生させ、カソード電極となっているターゲットをスパッタリングする。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)