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1. (WO2019038953) LASER IMPINGEMENT DEVICE, LASER IMPINGEMENT METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2019/038953 № do pedido internacional: PCT/JP2018/005457
Data de publicação: 28.02.2019 Data de depósito internacional: 16.02.2018
CIP:
H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01) ,H01L 21/68 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
26
Bombardeamento com onda ou radiações de partículas
263
com radiação de alta energia
268
usando radiações eletromagnéticas, p. ex., de raios laser
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
20
Depósito de materiais semicondutores em uma base, p. ex., crescimento epitaxial
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
67
Aparelhos especialmente adaptados para manipulação de dispositivos semicondutores ou de dispositivos elétricos de estado sólido durante a fabricação ou tratamento dos mesmos; Aparelhos especialmente adaptados para manipulação de pastilhas ("wafers") durante a fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou dispositivos elétricos de estado sólido ou componentes
677
para o transporte através de esteira rolante, p. ex.,entre diferentes estações de trabalho
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
67
Aparelhos especialmente adaptados para manipulação de dispositivos semicondutores ou de dispositivos elétricos de estado sólido durante a fabricação ou tratamento dos mesmos; Aparelhos especialmente adaptados para manipulação de pastilhas ("wafers") durante a fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou dispositivos elétricos de estado sólido ou componentes
68
através do posicionamento, orientação ou alinhamento
Requerentes:
株式会社日本製鋼所 THE JAPAN STEEL WORKS, LTD. [JP/JP]; 東京都品川区大崎一丁目11番1号 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032, JP
Inventores:
鈴木 祐輝 SUZUKI Yuki; JP
藤 貴洋 FUJI Takahiro; JP
三上 貴弘 MIKAMI Takahiro; JP
山口 芳広 YAMAGUCHI Yoshihiro; JP
清水 良 SHIMIZU Ryo; JP
Mandatário:
家入 健 IEIRI Takeshi; JP
Dados da prioridade:
2017-16211525.08.2017JP
Título (EN) LASER IMPINGEMENT DEVICE, LASER IMPINGEMENT METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF D'IMPACT LASER, PROCÉDÉ D'IMPACT LASER ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法
Resumo:
(EN) A laser impingement device (1) according to an embodiment of the present invention comprises a laser generator (14) for generating laser light and a flotation unit (10) for causing flotation of a processed object (16) on which laser light impinges. The flotation unit (10) comprises a first region and a second region. The first region and the second region are disposed in such a manner that, in a planar view, the laser light focal point overlaps with the first region and the laser light focal point does not overlap with the second region. The surface section of the second region is formed from a metallic member.
(FR) Un dispositif d'impact laser (1) selon un mode de réalisation de la présente invention comprend un générateur laser (14) pour générer une lumière laser et une unité de flottement (10) pour provoquer le flottement d'un objet traité (16) que la lumière laser heurte. L'unité de flottement (10) comprend une première région et une deuxième région. La première région et la seconde région sont disposées de telle sorte que, dans une vue en plan, le point focal de lumière laser chevauche la première région et que le point focal de lumière laser ne chevauche pas la seconde région. La section de surface de la seconde région est faite d'un élément métallique.
(JA) 一実施の形態にかかるレーザ照射装置(1)は、レーザ光を発生させるレーザ発生装置(14)と、レーザ光が照射される被処理体(16)を浮上させる浮上ユニット(10)と、を備えている。浮上ユニット(10)は、第1の領域と第2の領域とを備え、第1の領域および第2の領域は、平面視した際にレーザ光の焦点と第1の領域とが重畳し、レーザ光の焦点と第2の領域とが重畳しないように配置されている。第2の領域の表面部は、金属部材で形成されている。
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Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)