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1. (WO2019037997) CARRIER AND COMPONENT WITH A BUFFER LAYER, AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT
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№ de pub.: WO/2019/037997 № do pedido internacional: PCT/EP2018/069910
Data de publicação: 28.02.2019 Data de depósito internacional: 23.07.2018
CIP:
H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
48
caracterizado pelos encapsulamentos do corpo semicondutor
62
Dispositivos para condução de corrente elétrica para ou do corpo semicondutor, p. ex., condutor, fio de ligação ou bolas de solda
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
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caracterizado pelos eletrodos
38
com uma forma particular
Requerentes:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventores:
ALTIERI-WEIMAR, Paola; DE
NEUDECKER, Ingo; DE
ZITZLSPERGER, Michael; DE
GRÖTSCH, Stefan; DE
KOCH, Holger; DE
Mandatário:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Dados da prioridade:
10 2017 119 344.824.08.2017DE
Título (EN) CARRIER AND COMPONENT WITH A BUFFER LAYER, AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT
(FR) SUPPORT ET COMPOSANT COMPRENANT UNE COUCHE TAMPON ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT
(DE) TRÄGER UND BAUTEIL MIT PUFFERSCHICHT SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS
Resumo:
(EN) The invention specifies a carrier (9) with a buffer layer (3) or specifies a component (100), in particular with a carrier of this kind. The carrier is metallic, wherein the buffer layer has a flow stress which is at least 10 MPa and at most 300 MPa. In particular, the carrier has a main body (90) which, in respect of its material composition, is designed in such a way that a flow stress of the main body is greater than the flow stress of the buffer layer. The component has, for example, a semiconductor chip (10) with a substrate (1) and a semiconductor body (2) which is arranged on said substrate, wherein the carrier has a coefficient of thermal expansion which is at least 1.5 times as high as a coefficient of thermal expansion of the substrate or of the semiconductor chip. The semiconductor chip is fastened, by means of a connecting layer (4), on a mounting surface (94) of the carrier in such a way that the connecting layer is arranged between the semiconductor chip and the buffer layer. The invention further specifies a method for producing a component of this kind.
(FR) L'invention concerne un support (9) comprenant une couche tampon (3), ou un composant (100) présentant en particulier un tel support. Le support est constitué de métal, la couche tampon présentant une contrainte d'écoulement qui est comprise entre 10 MPa et 300 MPa. Le support présente en particulier un corps de base (90) dont la composition de matériau est telle qu'une contrainte d'écoulement du corps de base est supérieure à la contrainte d'écoulement de la couche tampon. Le composant présente une puce semi-conductrice (10) pourvue d'un substrat (1) et d'un corps semi-conducteur (2) disposé sur ce substrat, le support présentant un coefficient de dilatation thermique qui équivaut à au moins 1,5 fois le coefficient de dilatation thermique du substrat ou de la puce semi-conductrice. La puce semi-conductrice est fixée au moyen d'une couche de liaison (4) sur une surface de montage (94) du support de telle sorte que la couche de liaison est disposée entre la puce semi-conductrice et la couche tampon. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d’un composant de ce type.
(DE) Es wird ein Träger (9) mit einer Pufferschicht (3) oder ein Bauteil (100) insbesondere mit einem solchen Träger angegeben. Der Träger ist metallisch ausgebildet, wobei die Pufferschicht eine Fließspannung aufweist, die mindestens 10 MPa und höchstens 300 MPa ist. Insbesondere weist der Träger einen Grundkörper (90) auf, der bezüglich dessen Materialzusammensetzung derart ausgebildet ist, dass eine Fließspannung des Grundkörpers größer ist als die Fließspannung der Pufferschicht. Das Bauteil weist etwa einen Halbleiterchip (10) mit einem Substrat (1) und einem darauf angeordneten Halbleiterkörper (2) auf, wobei der Träger einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, der mindestens 1,5-mal so groß ist wie ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des Substrats oder des Halbleiterchips. Der Halbleiterchip ist mittels einer Verbindungsschicht (4) auf einer Montagefläche (94) des Trägers derart befestigt ist, dass die Verbindungsschicht zwischen dem Halbleiterchip und der Pufferschicht angeordnet ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils angegeben.
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Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: alemão (DE)
Língua de depósito: alemão (DE)