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1. (WO2019035431) SEALING RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING SEALING RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2019/035431 № do pedido internacional: PCT/JP2018/030140
Data de publicação: 21.02.2019 Data de depósito internacional: 10.08.2018
CIP:
C08L 63/00 (2006.01) ,C08G 59/00 (2006.01) ,C08K 3/013 (2018.01) ,C08K 5/54 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01)
C QUÍMICA; METALURGIA
08
COMPOSTOS MACROMOLECULARES ORGÂNICOS; SUA PREPARAÇÂO OU SEU PROCESSAMENTO QUÍMICO; COMPOSIÇÕES BASEADAS NOS MESMOS
L
COMPOSIÇÕES DE COMPOSTOS MACROMOLECULARES
63
Composições de resinas epóxi; Composições de derivados de resinas epóxi
C QUÍMICA; METALURGIA
08
COMPOSTOS MACROMOLECULARES ORGÂNICOS; SUA PREPARAÇÂO OU SEU PROCESSAMENTO QUÍMICO; COMPOSIÇÕES BASEADAS NOS MESMOS
G
COMPOSTOS MACROMOLECULARES OBTIDOS POR REAÇÕES OUTRAS QUE NÃO ENVOLVENDO LIGAÇÕES INSATURADAS CARBONO-CARBONO
59
Policondensados contendo mais de um grupo epóxido por molécula; Macromoléculas obtidas pela polimerização de compostos contendo mais de um grupo epóxi por molécula usando agentes de cura ou catalisadores que reagem com os grupos epóxi
[IPC code unknown for C08K 3/013]
C QUÍMICA; METALURGIA
08
COMPOSTOS MACROMOLECULARES ORGÂNICOS; SUA PREPARAÇÂO OU SEU PROCESSAMENTO QUÍMICO; COMPOSIÇÕES BASEADAS NOS MESMOS
K
USO DE SUBSTÂNCIAS INORGÂNICAS OU ORGÂNICAS NÃO-MACROMOLECULARES COMO INGREDIENTES DE COMPOSIÇÕES
5
Uso de ingredientes orgânicos
54
Compostos contendo silício
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
50
Montagem de dispositivos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos em um único dos grupos H01L21/06-H01L21/326158
56
Encapsulamentos, p. ex., camada de encapsulação, revestimentos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
28
Encapsulamento, p. ex., camadas de encapsulação, revestimentos
29
caracterizada pelo material
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
28
Encapsulamento, p. ex., camadas de encapsulação, revestimentos
31
caracterizada por sua disposição
Requerentes:
日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606, JP
Inventores:
水島 彩 MIZUSHIMA, Aya; JP
中田 貴広 NAKADA, Takahiro; JP
湧口 恵太 YUGUCHI, Keita; JP
Mandatário:
特許業務法人太陽国際特許事務所 TAIYO, NAKAJIMA & KATO; 東京都新宿区新宿4丁目3番17号 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Dados da prioridade:
2017-15644114.08.2017JP
2017-15644214.08.2017JP
2017-15644314.08.2017JP
Título (EN) SEALING RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING SEALING RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE POUR SCELLEMENT AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 封止用樹脂組成物、封止用樹脂組成物の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法
Resumo:
(EN) This sealing resin composition satisfies at least any of conditions (1)-(3) below: condition (1) an epoxy resin and an inorganic filler material are included, and the specific surface area of the inorganic filler material is not more than 3.28 m2/g; condition (2) an epoxy resin, an inorganic filler material, and a silane coupling agent including –NH2 or –SH are included; and condition (3) an epoxy resin and an inorganic filler material are included, and the crosslink density in a cured state is either 0.9 mol/cm3 or lower, or 1.0 mol/cm3 or higher.
(FR) L'invention concerne une composition de résine pour scellement qui satisfait au moins l'un des points (1) à (3) suivants. (1) Comprendre une résine époxy et un matériau de charge inorganique, la surface spécifique dudit matériau de charge inorganique étant inférieure ou égale à 3,28m/g. (2) Comprendre une résine époxy, un matériau de charge inorganique, et un agent adhésif au silane possédant -NH ou -SH. (3) Comprendre une résine époxy et un matériau de charge inorganique, la densité de réticulation à l'état durci étant inférieure ou égale à 0,9mol/cm et supérieure ou égale à 1,0mol/cm.
(JA) 下記(1)~(3)の少なくともいずれかを満たす、封止用樹脂組成物。 (1)エポキシ樹脂と、無機充填材とを含有し、前記無機充填材の比表面積が3.28m/g以下である。 (2)エポキシ樹脂と、無機充填材と、-NH又は-SHを有するシランカップリング剤とを含有する。 (3)エポキシ樹脂と、無機充填材とを含有し、硬化した状態での架橋密度が0.9mol/cm以下又は1.0mol/cm以上である。
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)