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1. (WO2019034737) PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
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№ de pub.: WO/2019/034737 № do pedido internacional: PCT/EP2018/072239
Data de publicação: 21.02.2019 Data de depósito internacional: 16.08.2018
CIP:
H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/52 (2010.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
48
caracterizado pelos encapsulamentos do corpo semicondutor
50
Elementos de conversão de comprimento de onda
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
48
caracterizado pelos encapsulamentos do corpo semicondutor
52
Encapsulamentos
Requerentes:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventores:
TANGRING, Ivar; DE
BELLYNCK, Gregory; DE
Mandatário:
PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München, DE
Dados da prioridade:
10 2017 118 915.718.08.2017DE
Título (EN) PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) FABRICATION D’UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HERSTELLUNG EINER HALBLEITERVORRICHTUNG
Resumo:
(EN) The invention relates to a method for producing a semiconductor device. The method comprises the steps of providing a carrier having a semiconductor component arranged on the carrier and of providing a layer arrangement on the carrier, adjoining the semiconductor component, which has a first and a second flowable layer. The first layer is formed on the carrier. The second layer is then formed on the first layer. The first layer has particles. The density of the first layer is greater than the density of the second layer. A lateral wetting of the semiconductor component occurs together with the first layer, such that the first layer has a first embodiment having a curved layer surface to the side of the semiconductor component. The method furthermore comprises a centrifuging of the carrier provided with the semiconductor component and the layer arrangement, such that the curvature of the layer surface of the first layer to the side of the semiconductor component is at least reduced and the first layer has a second embodiment as a result. By means of the second layer being arranged on the first layer, the first layer is prevented from returning to the first embodiment. The invention furthermore relates to a semiconductor device.
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif à semi-conducteur. Le procédé consiste à préparer un support muni d’un composant semi-conducteur agencé sur le support, et à préparer sur le support un agencement de couches adjacent au composant semi-conducteur et présentant une première et une seconde couche fluide. La première couche est réalisée sur le support. La seconde couche est ensuite réalisée sur la première couche. La première couche présente des particules. L’épaisseur de la première couche est supérieure à l’épaisseur de la seconde couche. Il se produit une imprégnation latérale du composant semi-conducteur par la première couche, de sorte que la première couche présente une première structure présentant une surface de couche courbe à côté du composant semi-conducteur. Le procédé consiste par ailleurs à centrifuger le support muni du composant semi-conducteur et de l’agencement de couches, de sorte que la courbure de la surface de couche de la première couche est au moins réduite à côté du composant semi-conducteur, et que la première couche présente de ce fait une seconde structure. La seconde couche agencée sur la première couche permet d'empêcher la première couche d’occuper à nouveau la première structure. L’invention concerne par ailleurs un dispositif à semi-conducteur.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Trägers mit einem auf dem Träger angeordneten Halb- leiterbauelement, und ein Bereitstellen einer an das Halbleiterbauelement angrenzenden Schichtanordnung auf dem Träger, welche eine erste und eine zweite fließfähige Schichtaufweist. Die erste Schichtwird auf dem Träger ausgebildet. Nachfolgend wird die zweite Schichtauf der ersten Schicht ausgebildet. Die erste Schichtweist Partikel auf. Eine Dichte der ersten Schichtist größer als eine Dichte der zweiten Schicht. Es tritt eine seitliche Benetzung des Halbleiterbauelements mit der ersten Schichtauf, so dass die erste Schichteine erste Ausgestaltung mit einer gekrümmten Schichtoberfläche seitlich des Halbleiterbauelements aufweist. Das Verfahren umfasst ferner ein Zentrifugieren des mit dem Halbleiterbauelement und der Schichtanordnung versehenen Trägers, so dass die Krümmung der Schichtoberfläche der ersten Schichtseitlich des Halbleiterbauelements wenigstens verringert wird und die erste Schichtdadurch eine zweite Ausgestaltung aufweist. Mit Hilfe der auf der ersten Schicht angeordneten zweiten Schichtwird unterdrückt, dass die erste Schichtwieder die erste Ausgestaltung einnimmt. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Halbleitervorrichtung.
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Língua de publicação: alemão (DE)
Língua de depósito: alemão (DE)