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1. (WO2019032251) SEMICONDUCTOR MOLD COMPOUND TRANSFER SYSTEM AND ASSOCIATED METHODS
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№ de pub.: WO/2019/032251 № do pedido internacional: PCT/US2018/042525
Data de publicação: 14.02.2019 Data de depósito internacional: 17.07.2018
CIP:
H01L 21/67 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/28 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
67
Aparelhos especialmente adaptados para manipulação de dispositivos semicondutores ou de dispositivos elétricos de estado sólido durante a fabricação ou tratamento dos mesmos; Aparelhos especialmente adaptados para manipulação de pastilhas ("wafers") durante a fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou dispositivos elétricos de estado sólido ou componentes
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
50
Montagem de dispositivos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos em um único dos grupos H01L21/06-H01L21/326158
56
Encapsulamentos, p. ex., camada de encapsulação, revestimentos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
23
Detalhes de semicondutores ou outros dispositivos de estado sólido
28
Encapsulamento, p. ex., camadas de encapsulação, revestimentos
Requerentes:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way, P.O. Box 6 Boise, ID 83707-0006, US
Inventores:
KOH, Kean, Tat; SG
CHOONG, Lien, Wah; SG
Mandatário:
PARKER, Paul, T.; US
ARNETT, Stephen, E.; US
AI, Bing; US
PARKER, Paul, T.; US
FAREID, Asphahani; US
Dados da prioridade:
15/670,35107.08.2017US
Título (EN) SEMICONDUCTOR MOLD COMPOUND TRANSFER SYSTEM AND ASSOCIATED METHODS
(FR) SYSTÈME DE TRANSFERT DE COMPOSÉ DE MOULAGE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Resumo:
(EN) Mold compound transfer systems and methods for making mold compound transfer systems are disclosed herein. A method configured in accordance with a particular embodiment includes placing a sheet mold compound in a containment area defined by a tray cover, and dispensing a granular mold compound over the sheet mold compound. The sheet mold compound can have a first density and the overall granular mold compound can have a second density less than the first density. The method further comprises transferring the solid sheet carrying the dispensed grains to a molding machine without using a release film.
(FR) L'invention concerne des systèmes de transfert de composé de moulage et des procédés de fabrication de systèmes de transfert de composé de moulage. Un procédé configuré conformément à un mode de réalisation particulier comprend le placement d'un composé de moulage en feuille dans une zone de confinement définie par un couvercle de plateau, et la distribution d'un composé de moulage granulaire sur le composé de moulage en feuille. Le composé de moulage en feuille peut avoir une première densité et le composé de moulage granulaire globale peut avoir une seconde densité inférieure à la première densité. Le procédé comprend en outre le transfert de la feuille solide portant les grains distribués à une machine de moulage sans utiliser de film de libération.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)