Algum conteúdo deste aplicativo está indisponível no momento.
Se esta situação persistir, por favor entre em contato conoscoFale conosco & Contato
1. (WO2019029171) SACRIFICIAL LAYER STRUCTURE, METHOD FOR PEELING OFF MATERIAL LAYER AND METHOD FOR FABRICATING MIRROR SURFACE OF LIGHT EMITTING DIODE



Aviso A versão de imagem (PDF) que está disponível em PATENTSCOPE é a versão oficial. Esta versão HTML online é fornecida para atender aos usuários. Apesar da enorme e cuidada compilação de modo a garantir uma representação precisa e exata dos dados constantes dos documentos/imagens impressos, não é possível excluir erros e/ou omissões devido aos procedimentos de transmissão e conversão dos dados, e das limitações inerentes aos processos de tradução automática (opcionais) utilizados. As hiperligações seguidas do símbolo dão acesso a recursos externos que não são controlados pela OMPI. A Secretaria Internacional rejeita qualquer responsabilidade a respeito dos pontos expostos acima.

INTERNATIONAL SEARCH REPORT (ISR)
Part 1:  1  2  3  4  5  6          Part 2:  A  B  C  D  E 
国际申请号 申请人或代理人的档案号
PCT/CN2018/081675 S0876PCT
国际申请日 (年/月/日) (最早的)优先权日 (年/月/日)
2018年 4月 3日 2017年 8月 8日
申请人
厦门三安光电有限公司
关于后续行为: 见PCT/ISA/220表和 适用时,见下面第5项
按照条约第18条,本国际检索报告由本国际检索单位做出并送交申请人。报告副本送交国际局。
它还附有本报告所引用的各现有技术文件的副本。
1. 报告的基础
a. 关于语言,进行国际检索基于:
国际申请提交时使用的语言。
该国际申请的                                          语言译文,为了国际检索的目的提供该种语言的译文(细则12.3(a)和23.1(b))。
b.
本国际检索报告考虑了本单位许可或被通知的根据细则91所做出的明显错误更正(细则43.6之二(a))。
c.
关于国际申请中所公开的任何核苷酸和/或氨基酸序列,国际检索是基于下列序列表进行的:
2. 某些权利要求被认为是不能检索的
3. 缺乏发明的单一性
4. 发明名称
同意申请人提出的发明名称。
发明名称由本单位确定如下:
牺牲层结构、剥离材料层的方法及发光二极管的镜面制作方法

5. 摘要
同意申请人提出的摘要。
根据细则38.2(b),摘要由本单位制定,如第IV栏中所示。自本国际检索报告发文日起一个月内,申请人可以向本单位提出意见。

提供一种剥离材料层的方法,包括步骤:(1)提供基材(210),其上表面划分为第一区域和第二区域;(2)在基材上表面的第一区域形成牺牲层(230),牺牲层呈上宽下窄状;(3)在基材的上表面沉积待剥离的材料层,由于牺牲层呈上宽下窄状,使得材料层覆盖在牺牲层的部分与覆盖在基材上表面的第二区域的部分断开;(4)蚀刻去除牺牲层,从而将位于牺牲层表面上的材料层剥离。同时提供一种用于前述剥离方法的牺牲层结构及一种采用上述剥离方法的发光二极管的制作方法。


6. 附图
a.
随摘要一起公布的附图是:     3    
按照申请人建议的。
由本单位选择的,因为申请人没有建议一幅图。
由本单位选择的,因为该图能更好地表示发明的特征。
b.
没有与摘要一起公布的附图

A. 主题的分类

按照国际专利分类(IPC)或者同时按照国家分类和IPC两种分类

B. 检索领域

检索的最低限度文献(标明分类系统和分类号):
     H01L
包含在检索领域中的除最低限度文献以外的检索文献:
在国际检索时查阅的电子数据库(数据库的名称,和使用的检索词(如使用)):
CPRSABS;CNABS;DWPI;SIPOABS;CNTXT;CNKI;IEEE: 图形化,图案化,构图,剥离,断开,不连续,间断,非连续,牺牲,欧姆接触,金属,反射,镜,反光,pattern+,lift+ off,peel+,cut+, interrupt+, disconnect+, discontinu+, incontinu+, break+, broken,sacrific+,ohm+, contact+,metal+,reflect+,mirror

C. 相关文件

类 型* 引用文件,必要时,指明相关段落 相关的权利要求
(1)
PX
CN 107403860 A (天津三安光电有限公司) 2017年 11月 28日 (2017-11-28)
1-11
全文
(2)
X
JP 08264533 A (MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD) 1996年 10月 11日 (1996-10-11)
1-4、10
说明书第[0001]-[0015]段,图1
(3)
Y
JP 08264533 A (MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD) 1996年 10月 11日 (1996-10-11)
5-9
说明书第[0001]-[0015]段,图1
(4)
Y
CN 101136327 A (中国科学院声学研究所) 2008年 3月 5日 (2008-03-05)
5-9
说明书第1页第1行至第3页第11行,图1-5
(5)
X
CN 103943513 A (中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 2014年 7月 23日 (2014-07-23)
1-4、10
说明书第[0050]-[0075]段,图2-6
(6)
X
CN 101201422 A (联诚光电股份有限公司) 2008年 6月 18日 (2008-06-18)
1、4、10
说明书第4页倒数第4行至第6页倒数第5行,图2A-2H
(7)
X
CN 103094096 A (上海华虹NEC电子有限公司) 2013年 5月 8日 (2013-05-08)
1、4、10
说明书第[0026]-[0032]段,图2(A)-2(F)
(8)
X
CN 105304478 A (京东方科技集团股份有限公司 等) 2016年 2月 3日 (2016-02-03)
1、4、10
说明书第[0033]-[0043]段,图1-6
(9)
X
JP 2000040692 A (NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE CORP) 2000年 2月 8日 (2000-02-08)
1、4、10
说明书第[0007]-[0019]段,图1-2
(10)
X
JP 08139006 A (FUJI ELECTROCHEMICAL CO LTD) 1996年 5月 31日 (1996-05-31)
1、4、10
说明书第[0009]-[0017]段,图1
(11)
A
CN 105280771 A (LG伊诺特有限公司) 2016年 1月 27日 (2016-01-27)
11
说明书第[0049]-[0278]段,图22-30
(12)
A
CN 103219435 A (台湾积体电路制造股份有限公司) 2013年 7月 24日 (2013-07-24)
11
全文
(13)
A
JP 09213996 A (SANKEN DENKI KK) 1997年 8月 15日 (1997-08-15)
11
全文
*
引用文件的具体类型:
"A"
认为不特别相关的表示了现有技术一般状态的文件
"E"
在国际申请日的当天或之后公布的在先申请或专利
"L"
可能对优先权要求构成怀疑的文件,或为确定另一篇引用文件的公布日而引用的或者因其他特殊理由而引用的文件(如具体说明的)
"O"
涉及口头公开、使用、展览或其他方式公开的文件
"P"
公布日先于国际申请日但迟于所要求的优先权日的文件
"T"
在申请日或优先权日之后公布,与申请不相抵触,但为了理解发明之理论或原理的在后文件
"X"
特别相关的文件,单独考虑该文件,认定要求保护的发明不是新颖的或不具有创造性
"Y"
特别相关的文件,当该文件与另一篇或者多篇该类文件结合并且这种结合对于本领域技术人员为显而易见时,要求保护的发明不具有创造性
"&"
同族专利的文件

D. 关于同族专利的信息

检索报告引用的专利文件 公布日
(年/月/日)
同族专利 公布日
(年/月/日)
CN 107403860 A
2017年 11月 28日
JP 08264533 A
1996年 10月 11日
CN 101136327 A
2008年 3月 5日
CN 100479102 C
2009年 4月 15日
CN 103943513 A
2014年 7月 23日
CN 103943513 B
2017年 8月 29日
CN 101201422 A
2008年 6月 18日
CN 103094096 A
2013年 5月 8日
CN 105304478 A
2016年 2月 3日
US 2017110323 A1
2017年 4月 20日
JP 2000040692 A
2000年 2月 8日
JP 08139006 A
1996年 5月 31日
CN 105280771 A
2016年 1月 27日
JP 2015228497 A
EP 2950355 A1
US 9673354 B2
US 2015349220 A1
EP 2950355 B1
KR 20150137618 A
KR 20150144481 A
KR 20150144498 A
KR 20150137614 A
KR 20150144482 A
KR 20150144480 A
KR 20150144483 A
2015年 12月 17日
2015年 12月 2日
2017年 6月 6日
2015年 12月 3日
2016年 12月 28日
2015年 12月 9日
2015年 12月 28日
2015年 12月 28日
2015年 12月 9日
2015年 12月 28日
2015年 12月 28日
2015年 12月 28日
CN 103219435 A
2013年 7月 24日
US 2013187122 A1
TW 201332145 A
2013年 7月 25日
2013年 8月 1日
JP 09213996 A
1997年 8月 15日
JP 2947155 B2
1999年 9月 13日
ISA/CN的名称和邮寄地址 :
中华人民共和国国家知识产权局(ISA/CN)
中国北京市海淀区蓟门桥西土城路6号 100088
传真号 (86-10)62019451
国际检索实际完成的日期:
2018年 6月 13日
国际检索报告邮寄日期:
2018年 7月 6日
受权官员:
田书凤
电话号码 86-010-62089264
Top    Part 1: 1 2 3 4 5 6         Part 2: A B C D E