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1. (WO2019028314) HIGH DENSITY PIXELATED-LED CHIPS AND CHIP ARRAY DEVICES, AND FABRICATION METHODS
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2019/028314 № do pedido internacional: PCT/US2018/045102
Data de publicação: 07.02.2019 Data de depósito internacional: 03.08.2018
CIP:
H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 33/54 (2010.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
15
incluindo componentes semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície adaptados à emissão de luz
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
48
caracterizado pelos encapsulamentos do corpo semicondutor
52
Encapsulamentos
54
tendo uma forma particular
Requerentes:
CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina 27703, US
Inventores:
ANDREWS, Peter; US
Mandatário:
GUSTAFSON, Vincent, K.; US
Dados da prioridade:
62/541,03303.08.2017US
62/655,29610.04.2018US
62/655,30310.04.2018US
Título (EN) HIGH DENSITY PIXELATED-LED CHIPS AND CHIP ARRAY DEVICES, AND FABRICATION METHODS
(FR) PUCES DEL PIXELISÉES À HAUTE DENSITÉ ET DISPOSITIFS À RÉSEAU DE PUCES, ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Resumo:
(EN) Pixelated-LED chips and related methods are disclosed. A pixelated-LED chip includes an active layer with independently electrically accessible active layer portions arranged on or over a light-transmissive substrate. The active layer portions are configured to illuminate different light-transmissive substrate portions to form pixels. Various enhancements may beneficially provide increased contrast (i.e., reduced cross-talk between pixels) and/or promote inter-pixel illumination homogeneity, without unduly restricting light utilization efficiency. In some aspects, a light extraction surface of each substrate portion includes protruding features and light extraction surface recesses. Lateral borders between different pixels are aligned with selected light extraction surface recesses. In some aspects, selected light extraction surface recesses extend through an entire thickness of the substrate. Other technical benefits may additionally or alternatively be achieved.
(FR) La présente invention concerne des puces DEL pixelisées et des procédés associés. Une puce DEL pixelisée comprend une couche active avec des parties de couche active accessibles électriquement de manière indépendante disposées sur ou au dessus d'un substrat transmettant la lumière. Les parties de couche active sont conçues pour éclairer différentes parties du substrat transmettant la lumière pour former des pixels. Diverses améliorations peuvent avantageusement fournir un contraste accru (à savoir une diaphonie réduite entre pixels) et/ou favoriser une homogénéité d'éclairage entre pixels, sans restreindre indûment l'efficacité d'utilisation de la lumière. Selon certains aspects, une surface d'extraction de lumière de chaque partie du substrat comprend des éléments saillants et des évidements de surface d'extraction de lumière. Des bordures latérales entre différents pixels sont alignées avec des évidements de surface d'extraction de lumière sélectionnés. Selon certains aspects, les évidements de surface d'extraction de lumière sélectionnés s'étendent sur toute l'épaisseur du substrat. D'autres avantages techniques peuvent en outre ou en variante être obtenus.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Inglês (EN)
Língua de depósito: Inglês (EN)