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1. (WO2019026954) SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
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№ de pub.: WO/2019/026954 № do pedido internacional: PCT/JP2018/028842
Data de publicação: 07.02.2019 Data de depósito internacional: 01.08.2018
CIP:
C23C 14/34 (2006.01) ,C04B 35/01 (2006.01) ,C04B 35/453 (2006.01) ,H01L 21/363 (2006.01)
C QUÍMICA; METALURGIA
23
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO QUÍMICO DE SUPERFÍCIES; TRATAMENTO DE DIFUSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE ÍONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL; INIBIÇÃO DA CORROSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS OU INCRUSTAÇÃO EM GERAL
C
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO DA SUPERFÍCIE DE MATERIAIS METÁLICOS POR DIFUSÃO, POR CONVERSÃO QUÍMICA OU SUBSTITUIÇÃO; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE IONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL
14
Revestimento por evaporação a vácuo, por pulverização catódica ou por implantação de ions do material
22
caracterizado pelo processo de revestimento
34
Pulverização catódica
C QUÍMICA; METALURGIA
04
CIMENTO; CONCRETO; PEDRA ARTIFICIAL; CERÂMICA; REFRATÁRIOS
B
CAL; MAGNÉSIA; ESCÓRIA; CIMENTOS; SUAS COMPOSIÇÕES, p. ex., ARGAMASSA, CONCRETO OU MATERIAIS DE CONSTRUÇÕES SIMILARES; PEDRA ARTIFICIAL; CERÂMICA; REFRATÁRIOS; TRATAMENTO DA PEDRA NATURAL
35
Produtos modelados de cerâmica caracterizados por sua composição; Composições de cerâmica; Processamento de pós de compostos inorgânicos, preparatório para manufatura de produtos cerâmicos
01
baseado em óxidos
C QUÍMICA; METALURGIA
04
CIMENTO; CONCRETO; PEDRA ARTIFICIAL; CERÂMICA; REFRATÁRIOS
B
CAL; MAGNÉSIA; ESCÓRIA; CIMENTOS; SUAS COMPOSIÇÕES, p. ex., ARGAMASSA, CONCRETO OU MATERIAIS DE CONSTRUÇÕES SIMILARES; PEDRA ARTIFICIAL; CERÂMICA; REFRATÁRIOS; TRATAMENTO DA PEDRA NATURAL
35
Produtos modelados de cerâmica caracterizados por sua composição; Composições de cerâmica; Processamento de pós de compostos inorgânicos, preparatório para manufatura de produtos cerâmicos
01
baseado em óxidos
453
baseado em óxidos de zinco, estanho ou bismuto ou soluções sólidas dos mesmos com outros óxidos, p. ex., zincatos, estanatos ou bismutatos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
34
os dispositivos tendo corpos semicondutores não incluídos nos grupos H01L21/06, H01L21/16, e H01L21/18170
36
Deposição de materiais semicondutores em um substrato, p. ex., crescimento epitaxial
363
usando deposição física, p. ex., deposição a vácuo, pulverização
Requerentes:
出光興産株式会社 IDEMITSU KOSAN CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内三丁目1番1号 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321, JP
Inventores:
大山 正嗣 OYAMA Masashi; JP
糸瀬 麻美 ITOSE Mami; JP
Mandatário:
特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES; 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 3階 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
Dados da prioridade:
2017-14939801.08.2017JP
Título (EN) SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION, COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE À OXYDE, TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタおよび電子機器
Resumo:
(EN) A sputtering target provided with an oxide sintered compact including a spinel structure compound containing indium element (In), tin element (Sn), zinc element (Zn), an element X, and oxygen, the atomic ratios of the elements satisfying formula (1), and the spinel structure compound furthermore being represented by the formula Zn2SnO4. (1): 0.001 ≤ X/(In + Sn + Zn + X) ≤ 0.05. (In formula (1), In, Zn, Sn, and X represent the amounts of indium element, zinc element, tin element, and element X, respectively, contained in the oxide sintered compact. Element X is at least one species selected from Ge, Si, Y, Zr, Al, Mg, Yb, and Ga.)
(FR) L'invention concerne une cible de pulvérisation pourvue d'un compact fritté d'oxyde comprenant un composé à structure de spinelle contenant un élément indium (In), un élément étain (Sn), un élément zinc (Zn), un élément X et de l'oxygène, les rapports atomiques des éléments satisfaisant la formule (1), et le composé de structure de spinelle étant en outre représenté par la formule Zn2SnO4. (1) : 0,001 ≤ X/ (In + Sn + Zn + X) ≤ 0,05. (Dans la formule (1), In, Zn, Sn et X représentent les quantités respectives d'élément indium, d'élément zinc, d'élément étain et d'élément X contenus dans le compact fritté d'oxyde. L'élément X est au moins une espèce choisie parmi Ge, Si, Y, Zr, Al, Mg, Yb et Ga).
(JA) インジウム元素(In)、スズ元素(Sn)、亜鉛元素(Zn)、X元素、および酸素を含有し、各元素の原子比が下記式(1)を満たし、さらにZn2SnO4で表されるスピネル構造化合物を含む、酸化物焼結体を備える、スパッタリングターゲット。 0.001≦X/(In+Sn+Zn+X)≦0.05 ・・・(1) (式(1)中、In、Zn、SnおよびXは、それぞれ酸化物焼結体中のインジウム元素、亜鉛元素、スズ元素およびX元素の含有量を表す。X元素は、Ge、Si、Y、Zr、Al、Mg、Yb、およびGaから少なくとも1種以上が選択される。)
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)