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1. (WO2019025009) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
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№ de pub.: WO/2019/025009 № do pedido internacional: PCT/EP2017/069834
Data de publicação: 07.02.2019 Data de depósito internacional: 04.08.2017
CIP:
H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/54 (2010.01) ,H01L 33/56 (2010.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
48
caracterizado pelos encapsulamentos do corpo semicondutor
50
Elementos de conversão de comprimento de onda
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
48
caracterizado pelos encapsulamentos do corpo semicondutor
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
48
caracterizado pelos encapsulamentos do corpo semicondutor
52
Encapsulamentos
54
tendo uma forma particular
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
33
Dispositivos semicondutores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície especialmente adaptados para a emissão de luz; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
48
caracterizado pelos encapsulamentos do corpo semicondutor
52
Encapsulamentos
56
Materiais, p. ex., epóxi ou resina de silicone
Requerentes:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventores:
CHANG, Seng-Teong; MY
OR, Choon Keat; MY
NG, Lee-Ying Jacqueline; MY
LOOI, Chai-Yun Jade; MY
Mandatário:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Dados da prioridade:
Título (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Resumo:
(EN) A method for producing an optoelectronic semiconductor device (10) is specified, said method comprising the following steps: - providing a frame part (1) which comprises a plurality of openings (11), - providing an auxiliary carrier (2), - connecting the auxiliary carrier (2) to the frame part (1) such that the auxiliary carrier (2) covers at least some of the openings (11) at an underside (1a) of the frame part (1), - placing conversion elements (3) onto the auxiliary carrier (2) in at least some of the openings (11), - placing optoelectronic semiconductor chips (4) onto the conversion elements (3) in at least some of the openings (11), - applying a housing (5) onto the conversion elements (3) and around the semiconductor chips (4) in at least some of the openings (11), - removing the frame part (1) and the auxiliary carrier (2).
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur optoélectronique (10), ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - fournir une partie cadre (1) qui comprend une pluralité d'ouvertures (11), - fournir un support auxiliaire (2), - relier le support auxiliaire (2) à la partie cadre (1) de telle sorte que le support auxiliaire (2) recouvre au moins certaines des ouvertures (11) sur une face inférieure (1a) de la partie cadre (1), - placer des éléments de conversion (3) sur le support auxiliaire (2) dans au moins certaines des ouvertures (11), - placer des puces semi-conductrices optoélectroniques (4) sur les éléments de conversion (3) dans au moins certaines des ouvertures (11), - appliquer un boîtier (5) sur les éléments de conversion (3) et autour des puces semi-conductrices (4) dans au moins certaines des ouvertures (11), - retirer la partie cadre (1) et le support auxiliaire (2).
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)