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1. (WO2019024021) FILM FORMING DEVICE AND FILM FORMING METHOD
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria InternacionalSubmeter observação

№ de pub.: WO/2019/024021 № do pedido internacional: PCT/CN2017/095699
Data de publicação: 07.02.2019 Data de depósito internacional: 02.08.2017
CIP:
H01L 31/18 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
18
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a fabricação ou o tratamento desses dispositivos ou de suas partes
C QUÍMICA; METALURGIA
23
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO QUÍMICO DE SUPERFÍCIES; TRATAMENTO DE DIFUSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE ÍONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL; INIBIÇÃO DA CORROSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS OU INCRUSTAÇÃO EM GERAL
C
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO DA SUPERFÍCIE DE MATERIAIS METÁLICOS POR DIFUSÃO, POR CONVERSÃO QUÍMICA OU SUBSTITUIÇÃO; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE IONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL
14
Revestimento por evaporação a vácuo, por pulverização catódica ou por implantação de ions do material
22
caracterizado pelo processo de revestimento
56
Aparelhos especialmente adaptados para revestimento contínuo; Dispositivos para manter o vácuo, p. ex., trava de vácuo
Requerentes:
深圳市柔宇科技有限公司 SHENZHEN ROYOLE TECHNOLOGIES CO., LTD [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区横岗街道龙岗大道8288号大运软件小镇43栋 Building #43, Dayun Software Town No. 8288 Longgang Road, Henggang Street Longgang District Shenzhen, Guangdong 518115, CN
Inventores:
欧建兵 OU, Jianbing; CN
Mandatário:
广州三环专利商标代理有限公司 SCIHEAD IP LAW FIRM; 中国广东省广州市 越秀区先烈中路80号汇华商贸大厦1508室 Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Dados da prioridade:
Título (EN) FILM FORMING DEVICE AND FILM FORMING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(ZH) 成膜设备及成膜方法
Resumo:
(EN) A film forming device (10) comprises a film forming chamber (11, 12). At least two material sources (121, 122) are disposed inside the film forming chamber (11, 12). The at least two material sources (121, 122) are used for coating a film on a substrate (100). A safe working distance (D) exists between every two material sources (121, 122), and after the current material source (121) coats a film on the substrate (100), the next material source (122) coats a film on a film layer formed by the previous material source (121). A film forming method, used for forming a film layer on the substrate (100). By means of the film forming device and the film forming method, a film forming processing line can be shortened, the production efficiency is improved, and device costs are reduced.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif de formation de film (10) qui comprend une chambre de formation de film (11, 12). Au moins deux sources de matériau (121, 122) sont disposées dans la chambre de formation de film (11, 12), lesdites sources de matériau (121, 122) servent à revêtir un film sur un substrat (100). Une distance de travail sûre (D) existe entre chaque paire de sources de matériau (121, 122), et après revêtement d'un film sur le substrat (100) par la source de matériau actuelle (121), la source de matériau suivante (122) revêt un film sur une couche de film formée par la source de matériau précédente (121). L'invention porte également sur un procédé de formation de film, permettant de former une couche de film sur le substrat (100). Au moyen du dispositif et du procédé de formation de film, une ligne de traitement de formation de film peut être raccourcie, l'efficacité de production est améliorée, et les coûts de dispositif sont réduits.
(ZH) 一种成膜设备(10),包括成膜室(11,21),成膜室(11,21)内设有至少两个材料源(121,122),至少两个材料源(121,122)用于依次在基板(100)上镀膜;其中,每两个相邻的材料源(121,122)之间具有安全工作距离(D),且当前一个材料源(121)在基板(100)上镀膜后,后一个材料源(122)在前一个材料源(121)所形成的膜层之上再次镀膜。一种成膜方法,用于在基板(100)上形成膜层。成膜设备及成膜方法能够缩短成膜工艺线,提升生产效率,并降低设备成本。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Chinês (ZH)
Língua de depósito: Chinês (ZH)
Também publicado como:
CN109564955