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1. (WO2019005542) IMAGE IMPROVEMENT FOR ALIGNMENT THROUGH INCOHERENT ILLUMINATION BLENDING
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional    Submeter observação

№ de pub.: WO/2019/005542 № do pedido internacional: PCT/US2018/038327
Data de publicação: 03.01.2019 Data de depósito internacional: 19.06.2018
CIP:
G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 9/00 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G FÍSICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TÉCNICAS SEMELHANTES UTILIZANDO ONDAS OUTRAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ELETROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUÇÃO FOTOMECÂNICA DE SUPERFÍCIES TEXTURIZADAS OU ESTAMPADAS, p. ex., PARA IMPRESSÃO, PARA PROCESSAMENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; MATERIAIS PARA AS MESMAS; ORIGINAIS PARA AS MESMAS; APARELHOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA ESSE FIM
7
Produção fotomecânica, p. ex., fotolitografia, produção de superfícies texturizadas ou estampadas, p. ex., superfícies para impressão; Materiais para esse fim, p. ex., compreendendo fotoresistes; Aparelhos especialmente adaptados para esse fim
20
Exposição; aparelhos para esse fim
G FÍSICA
03
FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TÉCNICAS SEMELHANTES UTILIZANDO ONDAS OUTRAS QUE NÃO ONDAS ÓPTICAS; ELETROGRAFIA; HOLOGRAFIA
F
PRODUÇÃO FOTOMECÂNICA DE SUPERFÍCIES TEXTURIZADAS OU ESTAMPADAS, p. ex., PARA IMPRESSÃO, PARA PROCESSAMENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; MATERIAIS PARA AS MESMAS; ORIGINAIS PARA AS MESMAS; APARELHOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA ESSE FIM
9
Registro ou enquadramento de originais, máscaras, molduras, chapas fotográficas ou superfícies texturadas ou estampadas, p. ex., automaticamente
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
027
Fabricação de máscaras sobre corpos semicondutores para tratamento fotolitográfico posterior, não previsto nos subgrupos H01L21/18 ou H01L21/34186
Requerentes:
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventores:
COSKUN, Tamer; US
JEONG, Hwan J.; US
Mandatário:
PATTERSON, B. Todd; US
VERSTEEG, Steven H.; US
Dados da prioridade:
62/525,02126.06.2017US
Título (EN) IMAGE IMPROVEMENT FOR ALIGNMENT THROUGH INCOHERENT ILLUMINATION BLENDING
(FR) AMÉLIORATION D'IMAGE POUR L'ALIGNEMENT PAR MÉLANGE D'ÉCLAIRAGES INCOHÉRENTS
Resumo:
(EN) Methods and apparatuses are provided that determine an offset between actual feature/mark locations and the designed feature/mark locations in a maskless lithography system. For example, in one embodiment, a method is provided that includes opening a camera shutter in a maskless lithography system. Light is directed from a configuration of non-adjacent mirrors in a mirror array towards a first substrate layer. An image of the first substrate layer on a camera is captured and accumulated. Light is directed and images are captured repeatedly using different configurations of non-adjacent mirrors to cover an entire field-of-view (FOV) of the camera on the first substrate layer. Thereafter, the camera shutter is closed and the accumulated image is stored in memory.
(FR) L'invention concerne des procédés et des appareils qui déterminent un décalage entre des emplacements de caractéristiques/repères réels et les emplacements de caractéristiques/repères prédéfinis dans un système de lithographie sans masque. Par exemple, un mode de réalisation concerne un procédé qui comprend l'étape consistant à ouvrir l'obturateur d'une caméra dans un système de lithographie sans masque. Une lumière provenant d'une configuration de miroirs non adjacents d'un réseau de miroirs est dirigée sur une première couche de substrat. Une image de la première couche de substrat est capturée et accumulée sur une caméra. La lumière est dirigée et des images sont capturées de manière répétée à l'aide de différentes configurations de miroirs non adjacents afin de couvrir un champ de vision (FOV) complet de la caméra sur la première couche de substrat. L'obturateur de la caméra est ensuite refermé et l'image accumulée est enregistrée en mémoire.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)